N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 40V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 1.5mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Automatic Test Equipment · Current Regulators · DC Choppers

文件：367.47 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：299.07 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

OptiMOS?? Power-Transistor

OptiMOS™3 Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 100 Avala

文件：343.92 Kbytes 页数：10 Pages

INFINEON

英飞凌

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器和台式机。此外，这些器件可用于电机控制变器和快速开关直流-直流转换器等广泛工业应用。\n   • 出色的栅极电荷 x R DS（on）产品（FOM）\n• 极低的导通电阻 R DS(on)\n• 快速开关应用的理想之选\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少所需的并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲\n \n  ;

Infineon

英飞凌