丝印：60R360P7；Package：PG-TO220FullPAK；600V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

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isc N-Channel MOSFET Transistor

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优化的超结 MOSFET，兼具高能效和易用性

The 600V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class RonxA and the inherently low gate charge (QG) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensur Efficiency\n • 600V P7 enables excellent FOM RDS(on)xEoss and RDS(on)xQG\nEase-of-use\n • Integrated ESD diode from 180mN and above RDS(on)s\n• Integrated gate resistor RG\n• Rugged body diode\n• Wide portfolio in through hole and surface mount packages\n• Both standard grade and industrial grade pa;

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丝印：60S360P7；Package：PG-TO220FullPAK；600V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

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优化的超结 MOSFET，兼具高能效和易用性

600V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后续产品。它在设计过程中不断平衡高效率的需求和易用性。CoolMOS ™第 7 代平台一流的 RonxA 和固有的低栅极电荷 (QG) 确保了其高效率。 • CoolMOS ™ 7 系列\n• 低栅极电荷\n• COSS中的低存储能量\n• 集成栅极电阻\n• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量\n• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™;

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