丝印：040N06N；Package：PG-TO220-FP；Superior thermal resistance

Features •OptimizedforhighperformanceSMPS,e.g.sync.rec. •100avalanchetested •Superiorthermalresistance •N-channel •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

文件：1.33413 Mbytes 页数：11 Pages

INFINEON

英飞凌

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件：260.97 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

丝印：040N065S；Package：PG-TO220FullPAK；OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 60 V

文件：1.07468 Mbytes 页数：10 Pages

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英飞凌

N 沟道功率 MOSFET

OptiMOS ™ 5 60V 针对交换模式电源 (SMPS)中的同步整流进行了优化，例如服务器和台式机以及平板电脑充电器中的电源。此外，这些器件是电机控制、太阳能微逆变器和快速开关 直流-直流转换器等广泛工业应用的绝佳选择。 • 针对同步整流进行优化\n• R DS(on) 比其他器件低 40%\n• 与同类器件相比，品质因数提高了 40%\n• 符合 RoHS - 无卤素\n• MSL1 评级\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 降低系统成本\n• 非常低的电压过冲;

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OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60V，采用 TO-220 FullPAK 封装（IPA040N06NM5S）

Infineon

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