RU40191S N沟道 40V 190A,场效应管(MOSFET)
RU40191S,N沟道 40V 190A,场效应管(MOSFET) ,RU40191S,N沟道 40V 190A,场效应管(MOSFET) 型号: RU40191S-R 品牌: Ruichips(锐骏半导体) 封装: TO-263 N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):190A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8mΩ@10V,75A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):120nC@10V 输入