全新 2-1670916-12 矩形连接器 - 外壳 插座 黑色 0.157"（4.00mm）
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GS12241 原包原装现货
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DP83867IRPAPR保证百分百原装现货
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LMH1983SQ只有原装货放心来询
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LM833MX 音频放大器
LM833MX，LM833MX 是一款性能出色的音频放大器，以下是具体介绍：基本信息：LM833MX 是美国国家半导体公司（National Semiconductor）生产的双运放 IC，可用于音频放大器、滤波器、示波器、仪器放大器等。产品特性宽动态范围：动态范围＞140 分贝，能够处理各种强度的音频信号，从微弱的细节声音到强烈的高潮部分，都能清晰地还原和放大。低输入噪声电压：仅为 4.5nV/√Hz，能有效减少背景噪声，使音频信号更加纯净，提高音质。高转换率：转
MP2560DN-LF-Z 开关稳压器
MP2560DN-LF-Z ，MP2560DN-LF-Z 是美国芯源（MPS）推出的一款性能出色的开关稳压器。以下是具体介绍：特点宽输入电压范围：输入电压范围为 4.5V 至 42V，能适应多种电源环境，可应用于汽车输入环境等。大输出电流能力：可提供 2.5A 的输出电流。高效率：转换效率高达 93%，能有效减少能源损耗。高开关频率：开关频率可达 4MHz，允许使用小型外部元件，有助于减小电路板的占用空间，还能防止如 AM 收音机和 ADSL 应用中的 EMI 噪声
357LB3I027M0000原装现货放心询
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AM9945N-T1-PF场效应管
AM9945N-T1-PF场效应管，AM9945N-T1-PF场效应管的特性与应用研究 引言 场效应管（Field Effect Transistor, FET）因其高输入阻抗、低功耗和优良的线性特性，广泛应用于模拟和数字电路中。其中，AM9945N-T1-PF作为一种新型场效应管，因其优异的性能倍受关注。本文将深入探讨AM9945N-T1-PF场效应管的特性、工作原理及其在实际应用中的表现。 AM9945N-T1-PF的基本特性 AM9945N-T1-PF属于N型场效应管，其主要
ADG506ATE/883B多路模拟器
ADG506ATE/883B多路模拟器，ADG506ATE/883B模拟开关的特性与应用研究 随着电子技术的迅猛发展，模拟开关作为一种重要的电路元件，广泛应用于各类电子设备中。ADG506ATE/883B是一款高性能的模拟开关，具有低功耗、高线性度和广泛的应用领域。本文将对该器件的特性、工作原理以及应用进行深入探讨。 一、ADG506ATE/883B的基本特性 ADG506ATE/883B模拟开关源于Analog Devices公司，属于其高可靠性系列，专为航空航天及军用应用设计。该器件
APXE6R3ARA221MF61G日本固态电容
APXE6R3ARA221MF61G日本固态电容的研究 引言 固态电容器因其优异的电气性能和稳定的工作特性，在现代电子设备中的应用越来越广泛。日本制造的APXE6R3ARA221MF61G固态电容器则成为了消费电子、工业设备及其他各类高性能电子产品中一个不可或缺的元件。本文旨在深入探讨APXE6，固态电容器的基本原理 固态电容器的基本工作原理与传统电容器相似，但它使用固态的电介质，通常是导电聚合物，来替代液态电解液。固态电容器的构造一般由阳极、电解质和阴极组成，其中阳极通常由铝或钽制成。其电介质以高
供应全新原装正品ADAU1701JSTZ
供应全新原装正品ADAU1701JSTZ,门市自取或当天发货。，ADAU1701JSTZ 音频 DSP 是亚德诺半导体（Analog Devices Inc.）推出的一款高性能音频处理芯片。以下是其相关介绍： 主要特点 强大的处理能力：采用 28/56 位数字音频处理器，50MIPS 的处理速度，能够实现复杂的音频信号处理算法。 高精度的 ADC 和 DAC：内置 2 个∑-Δ ADC 和 4 个∑-Δ DAC，ADC 的信噪比（SNR）为 100dB，总谐波失真 + 噪声（THD + N）为 -
供应全新原装正品BQ51222YFPR
供应全新原装正品BQ51222YFPR,门市自取或当天发货。，BQ51222YFPR 是德州仪器（Texas Instruments, TI）推出的一款高度集成的无线电源接收器 IC，专为符合 Qi 标准 的无线充电应用设计。它广泛应用于智能手机、可穿戴设备、医疗设备和其他便携式电子设备中。以下是关于 BQ51222YFPR 的详细产品说明： 1. 产品概述 BQ51222YFPR 是一款支持无线充电的接收器 IC，集成了无线功率接收、整流、电压调节和电池充电管理功能。它符合 WPC Qi 1.2
供应全新原装正品XA8879B
供应全新原装正品XA8879B,门市自取或当天发货。，供应全新原装正品XA8879B XA8879B是一款差分输入、超低EMI、无需滤波器的18V输入4Ω 34W单声道AB/D类音频功率放大器，可通过I/O控制AB/D和防破音等多种工作模式。其工作电压范围为5V - 18V，采用电平设置工作模式，输出无需滤波器的PWM调制结构减少了外部元件、PCB面积和系统成本。在不同电压与负载条件下，输出功率表现出色，如7.4V/2Ω、THD = 10%时为9.2W；9V/4Ω、THD = 10%时为9.5W等。该芯
供应全新原装正品ETA1038
供应全新原装正品ETA1038,门市自取或当天发货。，ETA1038 是一款由ETA公司推出的集成电路芯片，主要用于电源管理和电池充电控制。以下是关于ETA1038的产品说明概述： 1. 产品概述 ETA1038 是一款高效、集成化的电源管理芯片，适用于便携式电子设备，如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等。它集成了多种功能，包括电池充电管理、电源路径管理、过压保护和温度监控等。 2. 主要特性 高效充电管理：支持多种充电模式，包括恒流充电（CC）和恒压充电（CV），确保电池安全快速充电
MOSFET BSP135 E6327 Infineon(英飞凌) SOT-223-4 20k 咨询了解陈丹丹13528438344
BSP135 E6327 Infineon(英飞凌)SOT223-4 20k 咨询了解陈丹丹13528438344，分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET 制造商 Infineon Technologies 系列 SIPMOS® 包装 卷带（TR） 零件状态 Digi-Key 停止提供 FET 类型 N 沟道，耗尽型 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1
BLM15PD121SN1D原包原标现货
BLM15PD121SN1D原包原标现货，BLM15PD121SN1D原包原标现货 代理现货BLM15PD121SN1D 供应 有关咨询BLM15PD121SN1D 价格 BLM15PD121SN1D 供货情况 BLM15PD121SN1D 库存数量 BLM15PD121SN1D 规格书 BLM15PD121SN1D 产品购买，请联系！ 品属性 属性值 选择属性 制造商: Murata 产品种类: 铁氧体磁珠 RoHS: 详细信息 系列: BLM15_SN 产品: Fer
MP2363DN-LF，17年来只做原装货
MP2363DN-LF，17年来只做原装货，MP2363DN-LF，17年来只做原装货 代理现货MP2363DN-LF 供应 有关咨询MP2363DN-LF 价格 MP2363DN-LF 供货情况 MP2363DN-LF 库存数量 MP2363DN-LF 规格书 MP2363DN-LF 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Monolithic Power Systems (MPS) 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT
MX25L12845GM2I-10G原装正品
MX25L12845GM2I-10G原装，实单价低，MX25L12845GM2I-10G原装，实单价低 代理现货MX25L12845GM2I-10G 供应 有关咨询MX25L12845GM2I-10G 价格 MX25L12845GM2I-10G 供货情况 MX25L12845GM2I-10G 库存数量 MX25L12845GM2I-10G 规格书 MX25L12845GM2I-10G 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Macronix 产品种类: NOR闪存
全新 现货 C0603C102K5RACTU 1000 pF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 0603（1608 公制）
1000 pF ±10% 50V 陶瓷电容器 X7R 0603（1608 公制），电容 1000 pF 容差 ±10%_ 电压 - 额定 50V 温度系数 X7R 工作温度 -55°C ~ 125°C 特性 - 等级 - 应用 旁通，去耦 故障率 - 安装类型 表面贴装，MLCC 封装/外壳 0603（1608 公制） 大小 / 尺寸 0.063" 长 x 0.031" 宽（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安装 - 厚度 0.034"（
全新 C1206C104K1RACTU 0.1 µF ±10% 100V 陶瓷电容器 X7R 1206（3216 公制）
0.1 µF ±10% 100V 陶瓷电容器 X7R 1206（3216 公制），电容 0.1 µF 容差 ±10%_ 电压 - 额定 100V 温度系数 X7R 工作温度 -55°C ~ 125°C 特性 - 等级 - 应用 旁通，去耦 故障率 - 安装类型 表面贴装，MLCC 封装/外壳 1206（3216 公制） 大小 / 尺寸 0.126" 长 x 0.063" 宽（3.20mm x 1.60mm） 高度 - 安装 - 厚度 0.035"（
全新 D5V0L2B3SO-7 14V 夹子 6A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOT-23-3
14V 夹子 6A（8/20µs） Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOT-23-3，类型 齐纳 双向通道 2 电压 - 反向断态（典型） 5V（） 电压 - 击穿（） 6V 不同 Ipp 时电压 - 箝位（） 14V 电流 - 峰脉冲 (10/1000µs) 6A（8/20µs） 功率 - 峰脉冲 84W 电源线路保护 无 应用 通用 不同频率时电容 15pF @ 1MHz 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 封装/
全新 BSS138BKW,115 表面贴装型 N 通道 60 V 320mA（Ta） 260mW（Ta），830mW（Tc） SOT-323
表面贴装型 N 通道 60 V 320mA（Ta） 260mW（Ta），830mW（Tc） SOT-323，FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 320mA（Ta） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（） 1.6 欧姆 @ 320mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（） 1.6V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
PMBTA45,215晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 500 V 150 mA 35MHz 300 mW 表面贴装型 TO-236AB
PMBTA45,215晶体管 - 双极 (BJT，零件状态在售 晶体管类型NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）150 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）500 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）90mV @ 6mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）100nA 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）50 @ 50mA，10V 功率 - 最大值300 mW 频率 - 跃迁35MHz 工作温度150°C（TJ） 等级汽车级 资质AE
MMBFJ177LT1G晶体管 JFET P 通道 30 V 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）
MMBFJ177LT1G晶体管 JFET，零件状态在售 FET 类型P 通道 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)30 V 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)1.5 mA @ 15 V 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)800 mV @ 10 nA 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）11pF @ 10V（VGS） 电阻 - RDS(On)300 Ohms 功率 - 最大值225 mW 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类
供应LTC7001EMSE#TRPBF集成电路 高端 栅极驱动器 IC 非反相 10-MSOP-EP
供应LTC7001EMSE#TRPBF集成电路 ，零件状态在售 DigiKey 可编程未验证 驱动配置高端 通道类型单路 驱动器数1 栅极类型 MOSFET (N-Channel)电压 - 供电3.5V ~ 15V 逻辑电压 - VIL，VIH- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）- 输入类型非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）135 V 上升/下降时间（典型值）90ns，40ns 工作温度-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型表面贴装型 封装/外壳10-TFSOP，10
