74HC280D,653，74HC280D,653是一款4位全加器芯片，由Nexperia推出。它具有以下功能： 1. 全加器功能：该芯片包含4个全加器模块，可执行4位二进制数的加法操作。每个全加器有两个输入位和一个进位输入位，以及一个和输出位和一个进位输出位。 2. 并联输出：芯片的四个全加器的输出位可以并联在一起，形成一个4位加法器。这使得它可以进行4位二进制数的并行运算，提高了加法速度。 3. 逻辑运算：除了加法运算，74HC280D,653芯片还可以执行逻辑运算。它可以用作与门、
SN74LV541APWR，SN74LV541APWR是一款单向8位缓冲器/驱动器芯片，具有以下功能： 1. 缓冲器功能：SN74LV541APWR可以将输入信号进行缓冲并放大，以提供更强的输出信号。它适用于将输入信号放大到足够的驱动能力，以驱动其他电路或设备。 2. 输出驱动功能：该芯片具有8个输出引脚，可以为外部连接的器件提供强大的驱动能力。它可以驱动低阻抗负载，使得信号能够传输到其他电路或设备。 3. 电平转换功能：SN74LV541APWR支持逻辑电平转换，可以将输入信号从一种逻
ON/安森美 NCP3218AMNR2G 开关控制器 封装QFN48 原装现货 价格优势，制造商: onsemi 产品种类: 开关控制器 开关频率: 1 MHz 输入电压: 3.3 V to 22 V 输出电压: 1.05 V 输出电流: 52 A 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 100 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: QFN-48 商标: onsemi 产品类型: Switching Controllers 子
MAX20410AFOB/VY+，MAX20410AFOB/VY+是一款集成了多种功能的电源管理器件。以下是MAX20410AFOB/VY+的一些主要产品功能： 1. 多种电源管理功能：MAX20410AFOB/VY+集成了多种电源管理功能，包括降压转换器、LDO稳压器和电池充电管理器，能够满足多种不同的电源管理需求。 2. 高效能和低功耗：该器件采用高效能的电源管理技术，以提供高效的能源转换，同时具有低功耗的特点，有助于延长电池寿命。 3. 降压转换器：MAX20410AFOB/VY+
UCC28050P，UCC28050P是一款基于当前模式功率因数校正控制器的高性能开关电源控制器。其主要功能包括： 1. 功率因数校正：UCC28050P采用当前模式功率因数校正技术，可实现高功率因数和低谐波的输入电流。 2. 高效率：该控制器采用零电流切换技术，能够在高频率下实现零电流开关转换，从而提高开关电源的效率。 3. 电压稳定性：UCC28050P具有电压稳定性高的特点，可实现精确的电压控制和稳定的输出电压。 4. 多种保护功能：该控制器内置多种保护功能，如过流保护、过温
UCC38051D，UCC38051D是一款开关模式控制器，广泛用于开关电源、逆变器和服务器等应用。以下是UCC38051D的一些主要特性： 1. 高精度频率控制：UCC38051D具有高精度的频率控制功能，可通过外部电阻或电容进行调节，以满足不同应用需求。 2. 当前模式控制：该控制器采用当前模式控制技术，可以有效稳定开关电源的工作状态，并实现高效、可靠的功率转换。 3. 故障保护功能：UCC38051D内置了多种故障保护功能，如过流保护、短路保护、过温保护等，能够有效保护开关电源和负
动态随机存取存储器 512M (32Mx16) 166MHz 2.5v DDR S动态随机存取存储器，制造商: ISSI 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 环保 类型: SDRAM - DDR 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: BGA-60 数据总线宽度: 16 bit 组织: 32 M x 16 存储容量: 512 Mbit 最大时钟频率: 166 MHz 访问时间: 6 ns 电源电压-最大: 2.7 V 电源电压-最小: 2.3
ON/安森美 NCV431AIDR2G 参考电压 封装SOP8 价格优势 支持实单，制造商: onsemi 产品种类: 参考电压 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 参考类型: Shunt Adjustable Precision References 输出电压: Adjustable 初始准确度: 1 %_ 温度系数: 50 PPM / C 串联VREF—输入电压—最大值: 37 V 分流电流—最大值: 10
FAN7930CMX-G，类别 集成电路（IC） 电源管理（PMIC） PFC（功率因数校正） 制造商 onsemi 系列 - 包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 产品状态 在售 模式 临界传导（CRM） 频率 - 开关 250kHz ~ 350kHz 电流 - 启动 120 µA 电压 - 供电 13V ~ 20V 工作温度 -40°C ~ 125°C 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，
FAN7527BMX，类别 集成电路（IC） 电源管理（PMIC） PFC（功率因数校正） 制造商 onsemi 系列 - 包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带 产品状态 最后售卖 模式 间歇（跃迁） 频率 - 开关 - 电流 - 启动 60 µA 电压 - 供电 11.5V ~ 30V 工作温度 -25°C ~ 125°C 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件
EEEFT1H221AP 铝电解电容，EEEFT1H221AP 铝电解电容： PANASONIC ELECTRONIC COMPONENTS EEEFT1H221AP 铝电解电容, 表面贴装, AEC-Q200 FT系列, 220 µF, 50 V, Radial Can - SMD, 8 mm, 0.18 ohm FT 高温回流系列 Panasonic FT 系列 V 型电容器可提供小型解决方案和低 ESR。 它们的尺寸比 Panasonic FK 系列小一号。 这些电解电容器在
东莞 TL431AIDBZR 集成电路 TI SOT23-3 75 ，集成电路 电源管理 电压基准 TL431AIDBZR 分流器 电压基准 IC 36 V ±1%_SOT-23-3 参考类型 分流器 输出类型 可调式 电压 - 输出 2.495V 电压 - 输出 36 V 电流 - 输出 100 mA 容差 ±1%_电流 - 阴极 700 µA 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件
动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR S动态随机存取存储器，制造商: ISSI 产品种类: 动态随机存取存储器 RoHS: 环保 类型: SDRAM Mobile - DDR 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: BGA-60 数据总线宽度: 16 bit 组织: 32 M x 16 存储容量: 512 Mbit 最大时钟频率: 166 MHz 访问时间: 6 ns 电源电压-最大: 1.95 V 电源电压-
ON/安森美 RURD620CCS9A 二极管与整流器 封装TO-252 价格优势 欢迎询价，制造商: onsemi 产品种类: 二极管 - 通用，功率，开关 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252AA 峰值反向电压: 200 V 最大浪涌电流: 60 A If - 正向电流: 6 A 配置: Dual 恢复时间: 30 ns Vf - 正向电压: 1 V Ir - 反向电流 : 100 uA 最小工作
外壳 1445022-3原装 ， 产品属性 属性值 选择属性 制造商: TE Connectivity 产品种类: 管脚和插座连接器 RoHS: 详细信息 产品: Receptacle Housings 位置数量: 3 Position 排数: 1 Row 触点类型: Socket (Female) 节距: 3 mm 端接类型: Crimp 安装风格: Free Hanging 外壳材料: Nylon 触点材料: - 触点电镀: - 电压额定值:
东莞 SN74HC125DR 集成电路（IC） TI 2231 2,193 ，集成电路 逻辑 缓冲器 驱动器 接收器 收发器 SN74HC125DR 缓冲器，非反向 4 元件 1 位每元件 三态 Output 14-SOIC 产品状态 在售 逻辑类型 缓冲器，非反向 元件数 4 每个元件位数 1 输入类型 - 输出类型 三态 电流 - 输出高、低 7.8mA，7.8mA 电压 - 供电 2V ~ 6V 工作温度 -40°C ~ 85°C（TA） 安装
端子 170011-2量大优惠 ， 产品属性 属性值 选择属性 制造商: TE Connectivity 产品种类: 端子 RoHS: 详细信息 产品: Screw Terminals 类型: Ring 线规最大值: 14 AWG 接线柱/接头大小: 5 mm 端接类型: Crimp 安装风格: Screw 型式: - 绝缘: Not Insulated 颜色: - 触点电镀: Tin 触点材料: Brass 封装: Reel 封装: Cu
电容器 CC1206KKX7R0BB104 ， 产品属性 属性值 选择属性 制造商: YAGEO 产品种类: 多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT RoHS: 详细信息 电容: 0.1 uF 电压额定值 DC: 100 VDC 电介质: X7R 容差: 10 %_ 外壳代码 - in: 1206 外壳代码 - mm: 3216 高度: 1.25 mm 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 125 C 产品: General Type M
二极管BAT46WJ,115 一件起售 ，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Nexperia 产品种类: 肖特基二极管与整流器 RoHS: 详细信息 产品: Schottky Diodes 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOD-323-2 配置: Single 技术: Si If - 正向电流: 250 mA Vrrm - 重复反向电压: 100 V Vf - 正向电压: 710 mV Ifsm - 正向浪涌电流: 2.5 A Ir
DRV5032ZEDBZR，DRV5032ZEDBZR是德州仪器（Texas Instruments）生产的一款数字磁传感器芯片，主要具有以下功能： 1. 偏置磁场：DRV5032ZEDBZR芯片可以检测磁场，当横向磁感应强度超过设定的门限值时，芯片输出逻辑高电平。 2. 模拟/数字输出：DRV5032ZEDBZR芯片提供模拟和数字两种输出方式，数字输出可以通过SPI接口进行读取和配置。 3. 内部偏置：DRV5032ZEDBZR芯片集成了内部偏置磁场，提供快速的检测响应和高的灵敏度。同
泰矽微宣布量产单串电池电量计芯片TCB561，中国领先的高性能专用SoC芯片供应商泰矽微（Tinychip Micro）近日宣布推出TCB561单串锂电池电量计芯片，采用WLCSP12封装（1.98mmX1.30mmX0.415mm），用于单串锂离子或锂聚合物电池的电量管理。TCB561内置高精度电流电压检测电路，集成基于精准电池模型的高精度自适应电量计算法，较传统阻抗算法或电压补偿算法具有更高的电量预测精度及更好的温度特性。同时支持内部MCU资源开放，支持二次开发。在国产电量计和电池管理芯片领域具有标杆
5M2210ZF256C5N，5M2210ZF256C5N是Xilinx公司生产的一款FPGA（现场可编程门阵列）芯片。它具有以下功能： 1. 高密度逻辑资源：5M2210ZF256C5N具有丰富的逻辑资源，包括逻辑单元（LUT）、寄存器、片上存储器等，可以实现复杂的数字逻辑功能。 2. 高性能时钟管理：5M2210ZF256C5N集成了多个时钟管理模块，包括全局时钟网络、时钟分配器、锁相环等，可以提供高性能的时钟管理和分配功能。 3. 多种I/O接口：5M2210ZF256C5N支持多
bychip可替代AP2310N，bychip可替代_AP2310N导读 N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。N 型半导体也称为电子型半导体。 MOS管分类按沟道分类，场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管。按材料分类，可以分为分为耗尽型和增强型：增强型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流也为零； 耗尽型管：栅极-源极电压 Vgs 为零时漏极电流不为零。 bychip可替代_AP2310N bychip可替代 VGS>VG
bychip可替代AP2625GY，bychip可替代_AP2625GY导读 这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon(外在硅)，他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。首先考察一个更简单的器件--MOS电容--能更好的理解MOS管。 具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应管属于电压控制型半导体器件。 bychip可替代_AP2625GY bychip可替代 MOS管导通条件：
N9H30F61IEC系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz ，堆叠64 MB DDR-II记忆体於同一封裝，提供 216-pin LQFP封装，大幅减少PCB尺寸和降低电磁干扰 ( EMI ) 。丰富的周边功能包含：11组 UART 、SDIO/eMMC 介面、NAND Flash 介面、24bit LCD控制器、2组CAN, 2組10/100Mb，N9H30F61IEC, LQFP-216 N9H30F61IEC系列采用ARM926EJ-S核心，执行速度高达300 MHz ，
