SQJQ184E汽车用N沟道MOSFET
SQJQ184E汽车用N沟道MOSFET的额定漏极-源极电压 (VDS) 为80V,在VGS = 10V时RDS(on)低至0.0014Ω,Vishay/Siliconix SQJQ184E汽车用N沟道MOSFET的额定漏极-源极电压 (VDS) 为80V,在VGS = 10V时RDS(on)低至0.0014Ω。SQJQ184E符合AEC-Q101标准,具有-55°C至+175°C的宽工作结温范围,非常适合汽车应用。Vishay/Siliconix SQJQ184E汽车N沟道MOSFET采用紧凑型Pow