芯片自主可控深度解析
芯片制造目前是集成电路产业门槛最高的行业,怎么看待门槛的高低呢,投资越高、玩家越少就表明门槛越高,目前在高端芯片的制造上也仅剩下台积电(TSMC)、三星(SAMSUNG)和英特尔(Intel)三家了。,如果有人跟你说:“嗨,我做的芯片实现了100%
芯片制造目前是集成电路产业门槛最高的行业,怎么看待门槛的高低呢,投资越高、玩家越少就表明门槛越高,目前在高端芯片的制造上也仅剩下台积电(TSMC)、三星(SAMSUNG)和英特尔(Intel)三家了。,如果有人跟你说:“嗨,我做的芯片实现了100%
温度传感器三种主要形式为热电偶、铂电阻和热电阻,热电偶由两种不同的金属丝焊接而成,例如:NiCr-Ni(K型),利用热电效应来工作的,两种不同的金属丝,构成一个闭合回路,不同的两种导体存在着温差,两者产生电动热。因而在回路中形成一个大小的电流,此现象称之为热电现象。 铂电阻测量原理不同于热电偶测量方法。铂电阻传感器本质上来讲属于PTC热敏电阻的一种。金属的电阻率会随着温度的升高而增大,因此这种特性被用来测量温度。薄膜式铂电阻,由于结构超薄,因此在电阻不被影响的前提下,配置了一个玻璃套管,用以保护。目
二极管相信大家再熟悉不过了,但你能详细说得出二极管有哪几项主要参数吗?今天电路菌跟大家一起细数一下二极管的几项主要参数! , 二极管的参数主要有以下几点: 1.反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,该电流与半导体材料和温度有关。 2.额定整流电流IF指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。 3. 最大平均整流电流IO在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。这是设计时非常重要的值。 4. 最大浪涌
二极管作为一种基础电子元器件,所有工程师都知道其具有单向导电性。根据半导体材料分类,可分为硅二极管和锗二极管;根据据应用场合分类,可分为整流二极管、检波二极管、开关二极管和稳压二极管。,二极管作为一种基础电子元器件,所有工程师都知道其具有单向导电性。根据半导体材料分类,可分为硅二极管和锗二极管;根据据应用场合分类,可分为整流二极管、检波二极管、开关二极管和稳压二极管。不论怎么分,二极管有一个参数十分重要,会直接影响到晶体管是否会因过载损坏。 耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率
电感是储能元件,而磁珠是能量转换(消耗)器件。电感多用于电源滤波回路,侧重于抑止传导性干扰;磁珠多用于信号回路,主要用于EMI方面。,磁珠用来吸收超高频信号,象一些RF电路,PLL,振荡电路,含超高频存储器电路(DDR,SDRAM,RAMBUS等)都需要在电源输入部分加磁珠,而电感是一种储能元件,用在LC振荡电路、中低频的滤波电路等,其应用频率范围很少超过50MHz。 1.片式电感:在电子设备的PCB板电路中会大量使用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包括片式电感和片式磁珠,以下就这两种器件的
本文第一部分,应用笔记3426主要论述了为什么要使用电阻电桥,电桥的基本配置,以及一些具有小信号输出的电桥,例如粘贴丝式或金属箔应变计。,概述 本文第一部分,应用笔记3426主要论述了为什么要使用电阻电桥,电桥的基本配置,以及一些具有小信号输出的电桥,例如粘贴丝式或金属箔应变计。本篇应用笔记则侧重于高输出的硅应变计。本篇应用笔记作为第二部分,重点介绍高输出的硅应变计,以及它与高分辨率Σ-Δ模数转换器良好的适配性。举例说明了如何为给定的非补偿传感器计算所需ADC的分辨率和动态范围。本文演示了在构建
在对电容提供直流电(DC)时,只要电源电压存在,它就会像个临时储能器一样被充电至所加电压的值,然后无限期地保持或维持这一电荷。若电压上有任何的变化,电容中就会有充电电流流入而抵抗这个变化,其速率与电容极板上电荷的变化率相等。,在电阻中,电子的流动与电压降成正比。那么,向电容施加交流电(AC)会发生什么?向电容施加交流电(AC)会发生什么事?电容的行为与电阻不同——在电阻中,电子的流动与电压降成正比;在电容中,在将它充电或放电至新的电压水平时,它会通过吸收或释放电流来
电源管理半导体从所包含的器件来说,明确强调电源管理集成电路(电源管理IC,简称电源管理芯片)的位置和作用。电源管理半导体包括两部分,即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器件。,在日常生活中,人们对电子设备的依赖越来越严重,电子技术的更新换代,也同时意味着人们对电源的技术发展寄予厚望,下面就为大家介绍电源管理技术的主要分类。 电源管理半导体从所包含的器件来说,明确强调电源管理集成电路(电源管理IC,简称电源管理芯片)的位置和作用。电源管理半导体包括两部分,即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器
说到元器件的真假,无非就是需要辨别一下,元器件是原装货还是散新货。这里所说的散新货,就是翻新件或是拆机件,是经过处理再加工的器件,所以行业人一般称之为散新货。同一样的价格,谁都想买到新的,全新功能的器件,所以这就需要一些常识来辨别哪些是原装新货,哪些是我们所说的散新件。,文中关注的重点还是原装货和散新货的识别;但另一种情况更严重,就是很多低端品牌仿冒产品,直接印上高端品牌的标识,当原装货售卖。 说到元器件的真假,无非就是需要辨别一下,元器件是原装货还是散新货。这里所说的散新货,就是翻新件或是拆机
电子元器件是支撑信息技术产业发展的基石,也是保障产业链供应链安全稳定的关键,为加快电子元器件产业高质量发展,推动产业基础高级化、产业链现代化,促进我国信息技术产业发展,工业和信息化部近日印发了《基础电子元器件产业发展行动计划(2021—2023年)》。, 《行动计划》以推动高质量发展为主题,以深化供给侧改革为主线,以改革创新为根本动力,以做强电子元器件产业、夯实信息技术产业基础为目标,明确提出要面向智能终端、5G、工业互联网、数据中心、新能源汽车等重点市场,推动基础电子元器件产业实现突破,并增强关键
由于绝缘材料的不同,所构成的电容器的种类也有所不同: 按结构可分为:固定电容,可变电容,微调电容。按介质材料可分为:气体介质电容,液体介质电容,无机固体介质电容,有机固体介质电容电解电容。,对于一些理工科的人来讲,可能对电容都或多或少有一定的了解,就算是普通的人,可能也见过电容,因为在我们的现实生活中,经常能够见到电容的影子,不过超级电容电池并不是那么多人知晓,超级电容电池是在超级电容器的基础上研发出来的一种电池,这种电池具有非常显著的特点,是比传统电池更加强势一种电池,优势非常多,在许多方面的应用
在当今的开关电源设备中,MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。,在当今的开关电源设备中,MOS管的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。 目前,影响开关电源电源效率最大的两个损耗因素
三极管开关电路目前在开关电源、电子产品以及照明等领域的应用非常广泛,对于刚刚开始接触电子产品设计的新人工程师来说,掌握几种比较常用的三极管开关电路设计图,对日后的产品研发工作是非常有必要的。 ,① 驱动放大一般
电机驱动器通过控制电机的旋转角度和运转速度,来实现对占空比的控制以此来达到对电机怠速控制的方式。U6201就是一款典型的电机驱动器电源IC。, 电源ICU6201特点: R支持DCM和CCM的原边恒流、副边恒压控制 (1)SEL悬空:副边恒压,输出过载重启 (2)SEL接电容:副边恒压&原边恒流,输出过载限流降压 R1%恒压精度,4%恒流精度 R待机功耗
我们只知道晶振是一种频率元器件,而对于晶振有分基频晶振和泛音晶振的人可能少之又少。 那么什么是基频晶振,什么又是泛音晶振了,两种在电路中的使用有什么区别了。, 晶振的振动就像弹簧;晶体的振动频率和石英晶体的面积、厚度、切割取向等有关。 越长的抖得越慢; 越粗的抖得越慢; 越软的抖得越慢; 不过,太短太细太硬的抖不起来。 晶振是机械振动,具有机械振动的特征:形状、几何尺寸、质量等,决定振动频率。 晶振普遍由石英材质或者陶瓷材质加上内部的晶片组合而成,而晶振的频率大小取决于晶片的厚度影响。首先,在制
半导体元器件的制造除了人们熟知的“设计→制造→封装→测试”四大环节以外,中间的整体环节其实很复杂,可分为前段制程和后段制程。,半导体元器件的制备首先要有最基本的材料——硅晶圆,通过在硅晶圆上制作电路与电子元件(如电晶体、电容体、逻辑闸等),为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程。由于芯片是高精度的产品,因此对制造环境有很高的要求,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘均需控制的无尘室。此外,一枚芯片所需处理步骤可达数百道,而且使用的加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,虽然详细的处理程序是随著产品种
在日常生活中,人们对电子设备的依赖越来越严重,电子技术的更新换代,也同时意味着人们对电源的技术发展寄予厚望,下面就为大家介绍电源管理技术的主要分类。 ,电源管理半导体从所包含的器件来说,明确强调电源管理集成电路(电源管理IC,简称电源管理芯片)的位置和作用。电源管理半导体包括两部分,即电源管理集成电路和电源管理分立式半导体器件。 电源管理集成电路包括很多种类别,大致又分成电压调整和接口电路两方面。电压凋整器包含线性低压降稳压器(即LOD),以及正、负输出系列电路,此外 不有脉宽调制(PWM)型的开
DC-DC控制IC在各电子产品中应用广泛,为了统一物料,工程师往往会用自己熟悉且能输出较大电流的DC-DC芯片,不管负载大小均用一个型号一统江湖。由此可能在小负载电流时,效率不尽如人意,该怎么解决?,DC-DC控制IC在各电子产品中应用广泛,为了统一物料,工程师往往会用自己熟悉且能输出较大电流的DC-DC芯片,不管负载大小均用一个型号一统江湖。由此可能在小负载电流时,效率不尽如人意,该怎么解决? 1、从效率方面考虑LDO和D
在拿到三极管时,首先要做的就是对三极管进行测量,从而分清三极管的两级位置。在进行三极管测量时最长使用的方法就是使用万用表来进行测量,万用表在电路中的作用不仅仅是能够测量三极管,对于电感器的好坏也是能够进行判断的。, 本文就将针对使用万用表对三极管以及电感器的好坏进行测量的方法进行介绍,大家快随小编来一起看一看吧。 机械万用表的测量 首先来看一种较为快捷的方法,那就是先对内阻进行判断。查看两只引脚是否有内阻,若内阻为零则为三极管击穿,若有则按以下方法测量:万用表调至1K 档,将一支
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。 ,肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的,
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。,电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可