LM25141QRGERQ1原装正品现货，价格决对优势，，技术参数 品牌： TI 型号： LM25141QRGERQ1 批次： 2021+ 数量： 5000 制造商： Texas Instruments 产品种类： 开关控制器 RoHS： 是 拓扑结构： Buck 输出端数量： 1 Output 开关频率： 440 kHz, 2.2 MHz 输入电压： 3.8 V to 42 V 输出电压： 3.3 V, 5 V, 1.5 V to 15 V 输出电流： 20 A 最小工作温度
特征 果心 哈佛大学提供的16 MHz高级STM8核 架构和三级管道 扩展指令集 回忆 程序存储器：8 KB闪存；数据 10 kC循环后在55°C下保持20年 数据存储器：640字节真实数据EEPROM； 耐久性300 kcycle RAM：1 KB 时钟、重置和供应管理 2.95至5.5 V工作电压，全新原装进口现货价格优势合理 质量保证 STM8S903K3T6CTR 特征 果心 哈佛大学提供的16 MHz高级STM8核 架构和三级管道 扩展指令集 回忆 程序存储器：8 KB闪存；数
TB62209FG 20+ 2000 L6225DTR 21+ 5000 STM32F103V8T6 22+ 418 LPC2220FBD144 21+ 540 BQ24295RGER 21+ 15000 UA78L15ACPK 22+ 26000 CY62167DV30LL- 55ZXI 21+ 2000 TPS61022RWUR 21+ 6000，英飞凌优势物料；专业海外调货；MLX90333KGO-BCT-000-RE
原装现货！诚信经营，TI(德州仪器) 详细参数 参数名称 参数值 Source Content uid TPS61163AYFFR Brand_Name Texas Instruments 是否无铅 不含铅 不含铅 是否Rohs认证 符合 符合 生命周期 Active Objectid 1361478362 包装说明 VFBGA, BGA9,3X3,16 Reach Compliance Code compliant ECCN代码 EAR99 HTS代码 8542.39.00.01
NPN硅数字晶体管 NPN硅数字晶体管 开关电路、逆变器、接口电路， 驱动电路 内置偏置电阻器（R1=2.2 k?, R2=47 k?) BCR108S：两个内部隔离 匹配良好的晶体管 在一个多芯片组件中 BCR108S：有关卷筒中的方向，全新原装进口 现货 价格优势合理 BCR108SH6327XTSA1 NPN硅数字晶体管 NPN硅数字晶体管 开关电路、逆变器、接口电路， 驱动电路 内置偏置电阻器（R1=2.2 k?, R2=47 k?) BCR108S：两个内部隔离 匹配良好的晶体
原装现货，假一罚十，NXP（恩智浦） 是否Rohs认证 符合 符合 生命周期 Active Objectid 1465125505 零件包装代码 SOIC 包装说明 SOP, 针数 8 Reach Compliance Code compliant ECCN代码 EAR99 HTS代码 8542.39.00.01 风险等级 5.76 最大时钟频率 0.032 MHz 外部数据总线宽度 信息访问方法 I2C JESD-30 代码 R-PDSO-G8 长度 4.9 mm 湿度
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 70 V Id-连续漏极电流: 20 A Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V Qg-栅极电荷: 60 nC
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: STM32F3 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-64 核心: ARM Cortex M4 程序存储器大小: 256 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 4 x 6 bit/8 bit/10 bit/12 bit 最大时钟频率: 72 MHz 输入/输出端数量: 52 I/O 数据 RAM 大小: 40 kB 工
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: STM32L451VC 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-100 核心: ARM Cortex M4 程序存储器大小: 256 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 80 MHz 输入/输出端数量: 83 I/O 数据 RAM 大小: 160 kB 工作电源电压: 1.71 V to 3
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerFLAT-5x6-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 120 A Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: STM32F429ZI 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: WLCSP-144 核心: ARM Cortex M4 程序存储器大小: 2 MB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 180 MHz 输入/输出端数量: 114 I/O 数据 RAM 大小: 260 kB 工作电源电压: 1.7 V to
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 非隔离式DC/DC转换器 RoHS: 详细信息 产品: Non-Isolated / POL 输出端数量: 1 Output 输出功率: - 输入电压（最小值）: 4.5 V 输入电压（最大值）: 14 V 输出电压—通道1: 5.5 V 输出电流—通道1: 16 A 输出电压—通道2: - 输出电流—通道2: - 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风
原装代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFN-40 拓扑结构: Buck 输出电压: 600 mV to 5.5 V 输出电流: 40 A 输出端数量: 1 Output 输入电压（最小值）: 1.5 V 输入电压（最大值）: 16 V 静态电流: 700 uA 开关频率: 380 kHz to 1.25 MHz 最小工作温度: - 40 C
进口代理，制造商: Power Integrations 产品种类: 交流/直流转换器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: eSOP-12B 输出电压: 12 V 输出功率: 34 W 输入/电源电压—最小值: 85 VAC 输入/电源电压—最大值: 265 VAC 开关频率: 132 kHz 占空比 - 最大: 83 %_ 工作电源电流: 600 uA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 输
进口代理，制造商: onsemi 产品种类: 开关控制器 RoHS: 详细信息 拓扑结构: Flyback 输出端数量: 1 Output 开关频率: 100 kHz 占空比 - 最大: 72 %_ 输入电压: 8 V 输出电压: - 输出电流: 8 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-223-4 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: Mous
型号：TPS54360BQDDARQ1 型号：TPS54360BQDDARQ1 型号：TPS54360BQDDARQ1，型号：TPS54360BQDDARQ1 厂商：TI 封装：SOP8 批次：21+ 内容：类型 描述 选择 类别 集成电路（IC） PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 制造商 Texas Instruments 系列 Automotive, AEC-Q100, Eco-Mode? 包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel? 得
TLJS686M006R1500，TLJS686M006R1500_TLJS686M006R1500导读 它的栅极与其它电极间是绝缘的。图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。 TLJS686M006R1500_TLJS686M006R1500 TAJD107K016RNJ 040N
TLJK686M006R2000，TLJK686M006R2000_TLJK686M006R2000导读 今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。 TLJK686M006R2000_TLJK686M006R2000 TLJK686M006R2000 截止状态:三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时便失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我
TLJG686M006R0800，TLJG686M006R0800_TLJG686M006R0800导读 这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超。 TLJG686M006R0800_TLJG686M006R0800 TAJA106M016RNJ 040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。 截止状态:三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极
TLJS476M006R1500，TLJS476M006R1500_TLJS476M006R1500导读 这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超。 TLJS476M006R1500_TLJS476M006R1500 TAJA686M002RNJ 040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。 ·对微弱的信号进行放大：基极输入一个很小的信号就会引起
TLJR476M006R3200，TLJR476M006R3200_TLJR476M006R3200导读 而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。 TLJR476M006R3200_TLJR476M006R3200 TLJA107M004R0500 三极管
TLJP476M006R2500，TLJP476M006R2500_TLJP476M006R2500导读 这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。 TLJP476M006R2500_TLJP476M006R2500 TAJC227M006RNJ 060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_060318
TLJP476M006R0900，TLJP476M006R0900_TLJP476M006R0900导读 这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超。 TLJP476M006R0900_TLJP476M006R0900 TAJA105M016RNJ TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。 FDS6990-NL HAT20
TLJP476M006R0700，TLJP476M006R0700_TLJP476M006R0700导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 TLJP476M006R0700_TLJP476M006R0700 TAJA104K050RNJ 040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。 ST
TLJN476M006R8300，TLJN476M006R8300_TLJN476M006R8300导读 这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。 TLJN476M006R8300_TLJN476M006R8300 TAJD106M035RNJ 。·用作无触点开关：利用三极管的截止和导通特性来控制或驱动负载;比如由三极管组成的门电路、开
