BQ25619ERTWR
BQ25619ERTWR,类别 集成电路(IC) PMIC - 电池充电器 制造商 Texas Instruments 电池化学成份 锂离子/聚合物 电池数 1 电流 - 充电 恒流 - 可编程 可编程特性 电流,电压 故障保护 过流,超温,过压 充电电流 - 最大值 1.8A 电池组电压 4.52V 电压 - 供电(最高) 13.5V 接口 I2C 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 24-WFQFN 裸露
BQ25619ERTWR,类别 集成电路(IC) PMIC - 电池充电器 制造商 Texas Instruments 电池化学成份 锂离子/聚合物 电池数 1 电流 - 充电 恒流 - 可编程 可编程特性 电流,电压 故障保护 过流,超温,过压 充电电流 - 最大值 1.8A 电池组电压 4.52V 电压 - 供电(最高) 13.5V 接口 I2C 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 24-WFQFN 裸露
TMS320F28062PZT,类别 集成电路(IC) 嵌入式 - 微控制器 制造商 Texas Instruments 系列 C2000? C28x Piccolo? 核心处理器 C28x 内核规格 32 位单核 速度 90MHz 连接能力 CANbus,I2C,McBSP,SCI,SPI,UART/USART 外设 欠压检测/复位,DMA,POR,PWM,WDT I/O 数 54 程序存储容量 128KB(64K x 16) 程序存储器类型 闪存 EEPR
PMP4501V Nexperia(安世) SOT-666 Nexperia 供应原装现货,产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Nexperia 产品种类: Nexperia 商标: Nexperia
MAX22007ETN+,制造商: Maxim Integrated 产品种类: 数模转换器- DAC RoHS: 详细信息 系列: MAX22007 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 85 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TQFN-56 封装: Tray 商标: Maxim Integrated 湿度敏感性: Yes 产品类型: DACs - Digital to Analog Converters 工厂包装数量: 2
ST485EBDR ST(意法半导体) SOIC-8_150mil RS-422/RS-485 接口 IC 供应原装现货, 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: STMicroelectronics 产品种类: RS-422/RS-485 接口 IC RoHS: 详细信息 系列: ST485EB 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 功能: Transceiver 激励器数量: 1 Driver 接收机数量: 1 Receiver
L99PM62GXPTR ST(意法半导体) PowerSSO-36 专业电源管理 (PMIC) 供应原装现货, 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 专业电源管理 (PMIC) RoHS: 详细信息 系列: L99PM62GXP 类型: Automotive 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: PowerSSO-36 输出电流: 100 mA, 250 mA 输入电压范围: 4.5 V to 28 V
USB 桥,USB 至 I2C/UART USB 2.0 I2C,UART 接口 28-WQFN(5x5),型号:FT260Q-T 制造商;FTDI 包装:托盘 类别:集成电路(IC) 接口 - 控制器 功能:桥,USB 至 I2C/UART 接口:I2C,UART 标准:USB 2.0 电压 - 供电:1.8V,2.5V,3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-WFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:28-WQFN(5x5) 单价:面议 市场最低 备注
STM32F105VBH6 ST(意法半导体) LFBGA-100 ARM微控制器 - MCU 供应原装现货, 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: STMicroelectronics 产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: STM32F105VB 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: BGA-100 核心: ARM Cortex M3 程序存储器大小: 128 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 b
DAC43701DSGR ,制造商: Texas Instruments 产品种类: 数模转换器- DAC RoHS: 详细信息 分辨率: 8 bit 采样比: 10 MS/s 通道数量: 1 Channel 稳定时间: 8 us 输出类型: Voltage Buffered 接口类型: I2C 模拟电源电压: 1.8 V to 5.5 V 数字电源电压: 1.8 V to 5.5 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 安装
CP2102-GMR,协议:USB 功能:桥,USB 至 UART 接口:UART 标准:USB 2.0 电压 - 电源:3 V ~ 3.6 V 电流 - 电源:20mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装:28-QFN(5x5)
LM234DT ST STM809TWX6F ST STM809RWX6F ST IRF7343TRPBF INF LPC1111FHN33/102K NXP MCF5282CVM66 NXP ITS724GFUMA1 INF BSC100N06LS3GATMA1 INF TLE6225GXUMA1 INF S29AL016J70TFI020 CYPRESS VN340SPTR-E ST 支持实单,对上私,LM234DT ST STM809TWX6F ST STM809RWX6F ST IRF734
74AHC04S14-13,74AHC04S14-13_SO-14导读 寄生二极管和普通二极管一样,正接会导通,反接截止,对于NMOS,当S极接正,D极接负,寄生二极管会导通,反之截止;对于PMOS管,当D极接正,S极接负,寄生二极管导通,反之截止。 74AHC04S14-13_SO-14 2N7002W-7 BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。 BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027
2N7002VAC-7-F,2N7002VAC-7-F_SOT-563导读 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外,还提供风华阻容感,长晶二三极管MOS管,爱普生有源无源晶振等。 2N7002VAC-7-F_SOT-563 74AHCT1G125SE-7 BYM334 BYM333 BYP331 BYE3323 BYF3312 。 BYS31511 BYH32025A BYS32026A BYP32027A BYF32028A 。 BYN4286
2N7002KQ-13,2N7002KQ-13_SOT-23导读 上面就是功率mos管NCE80H12的规格书,我们电动车控制器上用的功率mos管NCE80H12其实和平常cmos集成电路中的小功率mos结构是不一样的。 2N7002KQ-13_SOT-23 1SMB5949B-13 BYP31538 BYP31510 BYP31575 BYH31574 BYD31523A 。 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。
2N7002K-7-G-72,2N7002K-7-G-72_SOT23-3导读 今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。 2N7002K-7-G-72_SOT23-3 74AHCT1G04SE-7 BYN3210 BYM3210 BYM326 BYM3226A BYP326 。 BYM334 BYM333 BYP331 BYE3323 BYF3312 。 BYM31020 BYS31010 BYJ310
2N7002DWS-7,2N7002DWS-7_SOT-363导读 它们的各种开关动作几乎是一致,当然烧坏时,肯定有先承受不了的小管先坏。所以管子的稳定性和制造工艺密不可分,差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。 2N7002DWS-7_SOT-363 74AUP1G04FX4-7 BYN41020A BYM41019A BYM41063 BYM429 。 BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。 BY
2N7002-7-02,2N7002-7-02_SOT-23导读 针对这种需求,新洁能生产出内阻小,抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12,NCE80H12的导通电阻小于6mΩ,输出电流可达120A,电机扭矩较好,。 2N7002-7-02_SOT-23 74AHCT1G86SE-7 BYN41020A BYM41019A BYM41063 BYM429 。 BYM826 BYM8311 BYM8315 BYH8415 BYM8415 。
2N7002,2N7002_SOT23导读 针对这种需求,新洁能生产出内阻小,抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12,NCE80H12的导通电阻小于6mΩ,输出电流可达120A,电机扭矩较好,。 2N7002_SOT23 74AUP1G17SE-7 BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 。 BYH31532 BYM31580 BYH31519 BYS31535 BYM31545 。 BYM310
2DD2150R,2DD2150R_SOT-89导读 今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管:NCE3401。 2DD2150R_SOT-89 1N4005-T BYM8615 BYH8638 BYN8610A BYM8628 BYN8222 。 BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。 BYN3210 BYM3210 BYM326 BYM3226A BYP326 。
驱动程序和接口 > 显示驱动器 TPS92662QPHPRQ1 Texas Instruments 12-channel high-brightness LED matrix manager for automotive headlight systems 48-HTQFP -40 to 125, 驱动程序和接口 > 显示驱动器 TPS92662QPHPRQ1 Texas Instruments 12-channel high-brightness LED matrix manager for a
MJD3055T4G 三极管 ON/安森美 封装TO-252,品牌 安森美 封装 TO-252 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 130C 最小电源电压 1.5V 最大电源电压 6V 长度 2.5mm 宽度 7.1mm 高度 1.6mm 可售卖地 全国 型号 MJD3055T4G 其它产品还有: NCE65R540U NCE65R900F NCE65R900I NCE6890K NCE7190A NCE
ESD5Z3.3T1G TVS二极管 ON 封装SOD523,品牌 ON 封装 SOD523 制造商 onsemi 产品种类 TVS 二极管/ESD 抑制器 RoHS 是 极性 Unidirectional 工作电压 3.3 V 通道数量 1 Channel 端接类型 SMD/SMT 封装 / 箱体 SOD-523-2 击穿电压 5 V 钳位电压 14.1 V 峰值脉冲功耗 (Pppm) 158 W Vesd - 静电放电电压触点 30 kV Ves
MBRS360BT3G 肖特基二极管 ON/安森美 封装SMB,品牌 安森美 封装 SMB 制造商 ON Semiconductor 产品种类 肖特基二极管与整流器 RoHS 是 安装风格 SMD/SMT 封装 / 箱体 SMB If - 正向电流 3 A Vrrm - 重复反向电压 60 V Vf - 正向电压 0.74 V Ifsm - 正向浪涌电流 125 A 配置 Single Ir - 反向电流 150 uA 最小工作温度 - 65 C 最