AD1955XRS
AD1955XRS，AD1955XRS_ADI导读 事实上，近些年随着AI在物联网的渗透和边缘计算能力的增强，MEMS传感器凭借体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、灵敏度高等一系列优点，正逐渐成为微型传感器的主力军，大有取代传统机械传感器的趋势。 AD1955XRS_ADI AD1839AS AD8022ARMZ-REEL7、ADTL082ARZ-REEL7、ADA4853-1AKSZ-R7、TPS92638QPWPRQ1、AD0001、AD0002SSN、AD10/31
MAX7414EUA+T
MAX7414EUA+T，类别 集成电路（IC） 接口 滤波器 - 有源 制造商 Analog Devices Inc./Maxim Integrated 系列 - 包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带 产品状态 在售 滤波器类型 巴特沃斯，低通开关电容器 频率 - 截止或中心 15kHz 滤波器数 1 滤波器阶数 5th 电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-TSSOP，8-M
MAX7404ESA+T
MAX7404ESA+T，类别 集成电路（IC） 接口 滤波器 - 有源 制造商 Analog Devices Inc./Maxim Integrated 系列 - 包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带 产品状态 在售 滤波器类型 椭圆，低通开关电容器 频率 - 截止或中心 10kHz 滤波器数 1 滤波器阶数 8th 电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-SOIC（0.154"
中国车企计划通过首款智能手机进军高端市场
智能手机逐渐成为消费者数字生活的核心，中国的一些车企正在探索制造智能手机的机会， 现在正是有能力的车企进入智能手机市场的好时机。 科技公司（谷歌、阿里巴巴、百度）以及智能手机厂商（苹果、小米、华为等）正积极计划和部署，确保在未来的智能汽车市场中立足。科技厂商的目的不仅旨在掌握用户的车内行为和车辆数据，而是将自己定位为一级供应商（如华为和百度）或直接宣布造车（如小米）。车企敏锐地意识到，如果不迅速采取措施，它们的市场份额将会被夺走。 智能手机逐渐成为消费者数字生活的核心，中国的一些车企
AD1955ARSZRL
AD1955ARSZRL，AD1955ARSZRL_ADI导读 作为高精度位置服务的典型应用场景，自动驾驶也在争议中不断发展，其涉及的关键技术环节多、产业链长，加速自动驾驶的商业化落地离不开所有相关产业和技术的并驾齐驱。 AD1955ARSZRL_ADI AD2S83IP 接受采购任务，制定采购单。通常来说，企业会把需要采购的任务下达到采购部门，采购部门再把需要的物资产品汇总，再分配给采购员，于是，采购员接到采购任务，制定采购订单。 AD1674JRZ、AD1674KNZ
1-1903128-1集管和线壳
集管和线壳，防水塞 7158-3030-50 73,000 附件 7157-7749-50 5,000 盲堵 7158-4891 10,000 盲堵 7158-4891 2,000 端子 7116-1469-02 12,000 端子 7116-1469-02 12,000 外壳 7122-7624 12,000 插头插座 DF13-12P-1.25DSA 500 防水塞 7157-3952-80 10,000 附件 7157-7916-80 2,000
TPS546D24RVFR
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，制造商: Texas Instruments 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFN-40 拓扑结构: Buck 输出电压: 250 mV to 5.5 V 输出电流: 40 A 输出端数量: 1 Output 输入电压（最小值）: 2.95 V 输入电压（最大值）: 16 V 开关频率: 225 kHz to 1.5 MHz 最小工作温度: - 40 C
MAX232AESE+T 集完全版 收发器 2/2 RS232 16-SOIC 集成电路 驱动器
MAX232AESE+T 集成电路 MAXIM 现货原装 已到货入库成功，MAX232AESE+T 集成电路 MAXIM 现货原装 已到货入库成功， （1） MAX232AESE+T 集成电路（IC） MAXIM Reel 2147 200； （2） DS2502R+T&R 集成电路（IC） MAXIM Reel 1930 30； （3） MAX4122EUK+T 集成电路（IC） MAXIM Reel 2116 100； （4） MAX4163ESA+T 集成电路（IC） MAXIM Reel
MS90C386B
MS90C386B,平板显示器(FPD)LVDS信号接收器,能够将 4 通道的低压差分信号(LVDS)转换成28bit 的 TTL 数据，MS90C386B,平板显示器(FPD)LVDS信号接收器,能够将 4 通道的低压差分信号(LVDS)转换成28bit 的 TTL 数据 品牌 瑞盟科技 产品线 数字IC 型号系列 MS90C386B 品类 信号接收器 描述/说明 平板显示器(FPD)LVDS信号接收器,能够将 4 通道的低压差分信号(LVDS)转换成28bit 的 TTL 数据
STW9N150
进口代理，制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.5 kV Id-连续漏极电流: 8 A Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V Vgs th-栅源极阈
MSP430F2619SPM
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 16位微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: MSP430F2619S-HT 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-64 核心: MSP430 程序存储器大小: 120 kB 数据总线宽度: 16 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 16 MHz 输入/输出端数量: 48 I/O 数据 RAM 大小: 4 kB 电源电压-最小: 1.8
S6E2CCAJ0AGB1000A
进口代理，制造商: Infineon 产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: S6E2CC 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: FBGA-192 核心: ARM Cortex M4F 程序存储器大小: 2 MB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 3 x 12 bit 最大时钟频率: 200 MHz 输入/输出端数量: 152 I/O 数据 RAM 大小: 512 kB 电源电压-最小: 2.7 V
S912ZVL96F0MLFR
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，制造商: NXP 产品种类: 16位微控制器 - MCU 发货限制： Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 系列: S12ZVL 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-48 核心: S12Z 程序存储器大小: 96 kB 数据总线宽度: 16 bit ADC分辨率: 10 bit, 12 bit 最大时钟频率: 32 MHz 输入/输出端数量: 34 I/O 数据 RAM 大小: 8 kB
平头哥发布RISC-V高能效处理器玄铁C908，打造端云一体生态
RISC-V高能效处理器玄铁C908，打造端云一体生态，近日，在2022云栖大会上，阿里平头哥发布全新RISC-V高能效处理器玄铁C908。玄铁C908计算能效全球领先，较业界同性能处理器能效提升超20%，更能满足低碳时代的算力需求，可广泛用于智能交互、多媒体终端、AR/VR、无线通讯等场景。 “阿里巴巴不断深耕RISC-V技术和生态，玄铁RISC-V处理器持续演进，端云一体的丰富生态也正在形成。”华雄集团总裁李志华分析说。 从1 GHz跨入2 GHz商用，平头哥不断引领RISC-V新架构的性
华雄芯资讯：平头哥发布RISC-V高能效处理器玄铁C908，打造端云一体生态
平头哥发布RISC-V高能效处理器玄铁C908，打造端云一体生态，近日，在2022云栖大会上，阿里平头哥发布全新RISC-V高能效处理器玄铁C908。玄铁C908计算能效全球领先，较业界同性能处理器能效提升超20%，更能满足低碳时代的算力需求，可广泛用于智能交互、多媒体终端、AR/VR、无线通讯等场景。 “阿里巴巴不断深耕RISC-V技术和生态，玄铁RISC-V处理器持续演进，端云一体的丰富生态也正在形成。”华雄集团总裁李志华分析说。 从1 GHz跨入2 GHz商用，平头哥不断引领RISC-V
华雄芯资讯：平头哥发布RISC-V高能效处理器玄铁C908，打造端云一体生态
平头哥发布RISC-V高能效处理器玄铁C908，打造端云一体生态，近日，在2022云栖大会上，阿里平头哥发布全新RISC-V高能效处理器玄铁C908。玄铁C908计算能效全球领先，较业界同性能处理器能效提升超20%，更能满足低碳时代的算力需求，可广泛用于智能交互、多媒体终端、AR/VR、无线通讯等场景。 “阿里巴巴不断深耕RISC-V技术和生态，玄铁RISC-V处理器持续演进，端云一体的丰富生态也正在形成。”华雄集团总裁李志华分析说。 从1 GHz跨入2 GHz商用，平头哥不断引领RISC-V
华雄芯资讯：平头哥发布RISC-V高能效处理器玄铁C908，打造端云一体生态
平头哥发布RISC-V高能效处理器玄铁C908，近日，在2022云栖大会上，阿里平头哥发布全新RISC-V高能效处理器玄铁C908。玄铁C908计算能效全球领先，较业界同性能处理器能效提升超20%，更能满足低碳时代的算力需求，可广泛用于智能交互、多媒体终端、AR/VR、无线通讯等场景。 “阿里巴巴不断深耕RISC-V技术和生态，玄铁RISC-V处理器持续演进，端云一体的丰富生态也正在形成。”华雄集团总裁李志华分析说。 从1 GHz跨入2 GHz商用，平头哥不断引领RISC-V新架构的性能提升，
STP120N4F6
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，制造商: STMicroelectronics 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 80 A Rds On-漏源导通电阻: 4.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
ISO7240MDWR
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，制造商: Texas Instruments 产品种类: 数字隔离器 RoHS: 详细信息 系列: ISO7240M 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-16 通道数量: 4 Channel 极性: Unidirectional 数据速率: 150 Mb/s 绝缘电压: 2500 Vrms 隔离类型: Capacitive Coupling 电源电压-最大: 5.5 V 电源电压-最小: 3.15
市场上基于紫外LED多芯片模组的陶瓷基板
市场上基于紫外LED多芯片模组的陶瓷基板，?陶瓷基板在微电子学中具有重要意义。首先，微电子中使用陶瓷的机械性能使其成为组件的载体。其次，高介电常数和低电导率的电学特性在当今的电子产品中很有用。 UV 陶瓷基板 ??一种基于氮化铝和氧化铝的高功率紫外（UV）发光二极管（LED）多芯片模块封装被呈现。具有高达180w/(m-k)的高导热率的氮化铝陶瓷基板和基于铜合金的LED芯片可提供出色的热管理和散热。有效冷却是增加可提取光功率和减少热引起的波长偏移的重要先决条件。开发了一种可堆叠模块的设计，该模块具
温度高要不得！薄膜电容温度过高的原因
温度高要不得！薄膜电容温度过高的原因，夏天到了温度越来越高，有许多人回到家里摸着家里的家电机身都是热的觉得家电被热坏了就用不了了。其实许多家电在使用时自身会发热，比如冰箱，别看冰箱的功能是制冷及冷藏，但是在工作时它的机身外壳是热的，我们可以摸冰箱外壳能感觉冰箱的外壳是热的。那么组成家电的电容器本身也会发热，只是发热的程度不一样。#发热# ??比如薄膜电容属于不容易发热的电子元器件，薄膜电容自身发热，并且发热量小且温度不高，属于正常现象。薄膜电容在使用时内部温度会稍微升高，但是正常情况下薄膜电容发热时
降压转换器可在汽车应用中实现高效的电源转换
降压转换器可在汽车应用中实现高效的电源转换 ，?在本文中，了解降压转换器在汽车电源设计中的作用，并探讨在选择降压转换器时要考虑的一些要求。 ??电源转换器对于当今汽车（从汽油或柴油发动机汽车到混合动力汽车和电动汽车）的高效供电至关重要。初级降压转换器对于解决技术挑战和简化汽车电源系统设计非常有用。 ??汽车应用中的电源挑战 ??由于引擎盖下集成的电子设备数量不断增加，汽车的动力系统设计变得越来越复杂。 ??如今，大多数车辆都包含多种用于改善驾驶性能和用户体验的功能，包括 GPS 系
薄膜电容对于新能源汽车上的运用
薄膜电容对于新能源汽车上的运用，??随着工业的迅速发展，人口过快增长导致能源短缺，能源的紧缺和环境的保护成了一个问题，为了解决能源的紧缺和环境问题，就有了新能源汽车的出世。 ??#新能源# ??新能源汽车是指采用非传统的车用燃料作为动力来源，综合车辆的动力控制和驱动方面的先进技术，形成的技术原理先进、具有新技术、新结构的汽车。新能源汽车包括纯电动汽车、燃料电池电动汽车、氢发动机汽车等。和传统汽车相比新能源汽车比传统汽车省钱、环保、节能、行驶过程中噪音小。 ??新能源汽车的三大核心是电机、
PHPT60603PYX
全新原装现货 支持第三方机构验证 ，类别 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 制造商 Nexperia USA Inc. 系列 - 包装 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带 产品状态 在售 晶体管类型 PNP 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值） 60 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） 225mV @ 50mA，1A 电流 - 集电极截止（最大值）
