• S9S12G128AMLH

    进口代理,制造商: NXP 产品种类: 16位微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: S12G 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-64 核心: S12 程序存储器大小: 128 kB 数据总线宽度: 16 bit ADC分辨率: 10 bit 最大时钟频率: 25 MHz 输入/输出端数量: 54 I/O 数据 RAM 大小: 8 kB 电源电压-最小: 3.15 V 电源电压-最大: 5.5 V 最小工作温度

  • ATTINY1614-SSN

    ATTINY1614-SSN ,制造商: Microchip 产品种类: 8位微控制器 -MCU RoHS: 详细信息 系列: ATtiny1614,ATtiny3217 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-14 核心: AVR 程序存储器大小: 16 kB 数据总线宽度: 8 bit ADC分辨率: 10 bit 最大时钟频率: 20 MHz 输入/输出端数量: 12 I/O 数据 RAM 大小: 2 kB 电源电压-最小: 1.

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    深圳市瑞冠伟业科技有限公司2022-12-7 10:32:00
  • AD8656ARZ

    https://hfx03.114ic.com,制造商: Analog Devices Inc. 产品种类: 精密放大器 RoHS: 详细信息 系列: AD8656 通道数量: 2 Channel GBP-增益带宽产品: 28 MHz SR - 转换速率 : 11 V/us CMRR - 共模抑制比: 100 dB 每个通道的输出电流: 220 mA Ib - 输入偏流: 500 pA Vos - 输入偏置电压 : 50 uV en - 输入电压噪声密度: 4

  • CD74HC40105M

    CD74HC40105M,类别 集成电路(IC) 逻辑 FIFO 存储器 制造商 Texas Instruments 系列 74HC 包装 管件 Product Status 在售 存储容量 64(16 x 4) 功能 异步 数据速率 - 访问时间 - 电压 - 供电 2 V ~ 6 V 电流 - 供电(最大值) - 总线方向 单向 扩充类型 深度,宽度 可编程标志支持 无 中继能力 无 FWFT 支持 无 工作温度 -55°C ~

  • TPS259530DSGR

    TPS259530DSGR,类别 集成电路(IC) 电源管理(PMIC) 电流调节/管理 制造商 Texas Instruments 功能 电子保险丝 感应方法 - 精度 ±7.5%_电压 - 输入 2.7V ~ 18V 电流 - 输出 4A 工作温度 -40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 8-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装 8-WSON(2x2) 基本产品编号 TPS259530

  • 外壳 15326808、端子 12015860优势库存

    优势库存,外壳 15326808 1,200 外壳 12020829 658 端子 12015860 9,600 附件 15475295 3,000 外壳 12047886 5,000 端子 12089188 6,600 外壳 284556-1 800 外壳 284556-1 200 端子 104479-2 15,354 端子 927827-2 2,200 插头插座 09670095615 100 电子元件 09150006202 200 外壳 XLP-02

  • TPS259261DRCR

    TPS259261DRCR,类别 集成电路(IC) 电源管理(PMIC) 电流调节/管理 制造商 Texas Instruments 功能 电子保险丝 感应方法 - 精度 ±15%_电压 - 输入 4.5V ~ 13.8V 电流 - 输出 5A 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 10-VFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装 10-VSON(3x3) 基本产品编号 TPS259261

  • 二极管 BAV21WS-7-F 、场效应管 NTR4003NT1G优势库存

    优势,二极管 BAV21WS-7-F *_58 保险丝 0215020.MXEP *_2,500 保险丝 0232005.MXP *_3,200 保险丝 0451020.MRL *_8,735 二极管 PDZ5.1B,115 *_84,000 保险丝 0213002.MXP *_2,000 场效应管 NTR4003NT1G SOT-23-3 743 集成电路( KP-1608SURCK *_5,200 电阻器 CRCW0402100KFKEDHP *_32 集成电路( ZXBM5210-

  • 7202LA15SOGI

    7202LA15SOGI,类别 集成电路(IC) 逻辑 FIFO 存储器 制造商 Renesas Electronics America Inc 系列 7200 包装 管件 Product Status 在售 存储容量 9K(1K x 9) 功能 异步 数据速率 40MHz 访问时间 15ns 电压 - 供电 4.5 V ~ 5.5 V 电流 - 供电(最大值) 80mA 总线方向 单向 扩充类型 深度,宽度 可编程标志支持 无 中继能力 是

  • TJA1050T/CM,118

    TJA1050T/CM,118 NXP(恩智浦) 10KPCS 现货供应 深圳市威尔健,产品型号 :TJA1050T/CM,118 制造商: NXP(恩智浦) 描述: 3-Amp Adjustable Regulator 3-TO-220 -40 to 125 产品系列:收发器 协议类别:CAN总线 驱动器/接收器数:1/1 CAN总线收发芯片 包装:编带

  • IPD80R3K3P7ATMA1

    IPD80R3K3P7ATMA1 Infineon(英飞凌) 10KPCS 现货供应 深圳市威尔健,产品型号 :IPD80R3K3P7ATMA1 制造商:Infineon(英飞凌) 产品系列:场效应管(MOSFET) 包装:编带

  • BSP300H6327XUSA1 Infineon(英飞凌)

    BSP300H6327XUSA1 Infineon(英飞凌)10KPCS 现货供应 深圳市威尔健,产品型号 :BSP300H6327XUSA1 制造商: Infineon(英飞凌) 描述:N沟道 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id):190mA 功率(Pd):1.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20Ω@10V,190mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@1mA N沟道,800V,190mA,20Ω@10V 产品系列:场效应管(MOSFET) 包装:编带

  • IPB027N10N3G Infineon(英飞凌)

    IPB027N10N3G Infineon(英飞凌) 10KPCS 现货供应 深圳市威尔健,产品型号 :IPB027N10N3G 制造商: Infineon(英飞凌) 描述:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.7mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@275uA N沟道,100V,120A 产品系列:场效应管(MOSFET) 包装:编带

  • 线性稳压器(LDO) LM350AT/NOPB TI(德州仪器)

    LM350AT/NOPB TI(德州仪器) 10KPCS 现货供应 深圳市威尔健,产品型号 :LM350AT/NOPB 制造商: TI(德州仪器) 描述: 3-Amp Adjustable Regulator 3-TO-220 -40 to 125 产品系列:线性稳压器(LDO) 包装:编带

  • 华雄芯资讯:英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路

    华雄集团总裁李志华表示:“自人类发明晶体管75年来,推动摩尔定律的创新在不断满足世界指数级增长的计算需求。在IEDM 2022,英特尔展示了其前瞻性思维和具体的研究进展,有助于突破当前和未来的瓶颈,满足无限的计算需求,并使摩尔定律在未来继续保持活力。”,在IEDM 2022(2022 IEEE国际电子器件会议)上,英特尔发布了多项突破性研究成果,继续探索技术创新,以在未来十年内持续推进摩尔定律,最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。英特尔的研究人员展示了以下研究成果:3D封装技术的新进展,可将密度再提升

  • 华雄芯资讯:英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路

    华雄芯资讯:英特尔继续推进摩尔定律,为在2030年打造出万亿晶体管芯片铺平道路,在IEDM 2022(2022 IEEE国际电子器件会议)上,英特尔发布了多项突破性研究成果,继续探索技术创新,以在未来十年内持续推进摩尔定律,最终实现在单个封装中集成一万亿个晶体管。英特尔的研究人员展示了以下研究成果:3D封装技术的新进展,可将密度再提升10倍;超越RibbonFET,用于2D晶体管微缩的新材料,包括仅三个原子厚的超薄材料;能效和存储的新可能,以实现更高性能的计算;量子计算的新进展。 华雄集团总裁李志华表示

  • L99H01QFTR

    全新原装现货 支持第三方机构验证 ,制造商: STMicroelectronics 产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器 RoHS: 详细信息 产品: Fan / Motor Controllers / Drivers 类型: Half Bridge 工作电源电压: 6 V to 28 V 输出电流: 38 mA 工作电源电流: 5.5 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: L

  • MOSFET 晶体管 BSP324H6327XTSA1 SOT-223 Infineon(英飞凌)

    MOSFET 晶体管 BSP324H6327XTSA1 SOT-223 Infineon(英飞凌) 现货供应,制造商编号:BSP324H6327XTSA1 制造商: Infineon(英飞凌) 封装 :SOT-223 描述: MOSFET 晶体管

  • TLE42754G

    全新原装现货 支持第三方机构验证 ,制造商: Infineon 产品种类: 低压差稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-263-5 输出电压: 5 V 输出电流: 450 mA 输出端数量: 1 Output 极性: Positive 输入电压(最小值): 5.5 V 输入电压(最大值): 42 V 输出类型: Fixed 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 回动电压: 250

  • BFC233910474

    全新原装现货 支持第三方机构验证 ,制造商: Vishay 产品种类: 安全电容器 RoHS: 详细信息 产品: Safety Film Capacitors 端接类型: Radial 电介质: Polypropylene (PP) 电容: 0.47 uF 电压额定值 AC: 310 VAC 电压额定值 DC: 630 VDC 容差: 10 %_ 管脚数量: 2 Pin 引线间隔: 15 mm 引线类型: Straight 最小工作温度: - 55 C

  • IPP220N25NFD

    IPP220N25NFD 只做原装 优势价格 ,IPP220N25NFD 耗散功率300 W 漏源极电压(Vds)250 V 连续漏极电流(Ids)61A 上升时间10 ns 输入电容(Ciss)5320pF @125V(Vds) 下降时间8 ns 工作温度(Max)175 ℃ 工作温度(Min)-55 ℃ 耗散功率(Max)300 W 安装方式Through Hole 引脚数3 封装TO-220-3 外形尺寸 长度10.36 mm 宽度4.57 mm 高度15.9

  • DS90UB941ASRTDRQ1 全新原装现货

    DS90UB941ASRTDRQ1,功能 串行器 数据速率 1.5Gbps 输入类型 MIPI DSI 输出类型 FPD 链路 III,LVDS 输入数 4 输出数 2 电压 - 供电 1.045V ~ 1.155V,1.71V ~ 1.89V 工作温度 -40°C ~ 105°C(TA) 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 64-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装 64-VQFN(9x9) 基本产品编号 DS90UB941

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    深圳市瑞冠伟业科技有限公司2022-12-6 17:24:00
  • KSZ8567RTXV-TRVAO

    原装进口代理,制造商: Microchip 产品种类: 以太网 IC 资格: AEC-Q100 商标: Microchip Technology 产品类型: Ethernet ICs 子类别: Communication & Networking ICs 要显示该类别下的类似产品,请至少选中上方的一个复选框。

  • FGD3040G2-F085C

    FGD3040G2-F085C 只做原装 现货 市场最低价, FGD3040G2-F085C 制造商产品型号:FGD3040G2-F085C制造商:ON Semiconductor描述:ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?零件状态:有源IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):400V电流-集电极(Ic)(最大值):41A电流-集电极脉冲(Icm):-不同?V

  • 特斯拉,逐渐成为芯片巨头

    特斯拉,逐渐成为芯片巨头,近几年日本疯台湾热,从早先从观光带进生活的台湾饮食、名特产,「数字大臣」唐凤掀起的政治旋风;到Covid-19 疫情早期的超前对应,乃至于冲击到后续的半导体缺料、供应链断链等问题,与台湾息息相关。 后疫情时代,日本醒悟到芯片不足可能引发经济安全风险,一时之间半导体议题从少数识见人士的论述、遍及到社会民众普偏的焦虑感。 出身日本半导体传统大厂,2011 年创办「微细加工研究所」、倡议半导体微小化的评论家「汤之上隆」,先前提出日本车厂与半导体产业之间有面巨