BSC067N06LS3G TDSON-8 Infineon ，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 50 A Rds On-漏源导通电阻: 6.7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压
BSC052N08NS5ATMA1 TDSON-8 Infineon，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 95 A Rds On-漏源导通电阻: 7.6 mOhms Vgs - 栅极-源
BSC052N08NS5 TDSON-8 Infineon ，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: Infineon 商标: Infineon Technologies 封装: Reel
BSC030N08NS5ATMA1 TDSON-8 Infineon ，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 80 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 4.5 mOhms Vgs - 栅极
BSC030N08NS5 TDSON-8 Infineon，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: Infineon 商标: Infineon Technologies 封装: Reel
BSC018NE2LSATMA1 TDSON-8 Infineon ，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 25 V 商标名: OptiMOS 封装: Reel 商标: Infineon Technologies 高度: 1.27 mm 长度: 5.9 mm 产品类型:
XC6VCX75T-FFG784，XC6VCX75T-FFG784_XILINX导读 工业互联网是智能制造发展的基础，可以提供共性的基础设施和能力，中国已将工业互联网作为新基建重要基础设施，为工业智能化提供支撑。不可否认的是，搭上新基建这辆信息时代的快车，无疑会使工业控制系统市场主体如虎添翼，催生工业自动化市场的经济新动能。 XC6VCX75T-FFG784_XILINX XC7K355T-2FFG901I 第二，提供更简单、更智能的可编程平台和设计方法，使得工程师能够
BSC016N04LSG TDSON-8 Infineon，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.3 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:
BSC014N03LSGATMA1 TDSON-8 Infineon，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V,
XC6VCX240T-2FFG1156I，XC6VCX240T-2FFG1156I_XILINX导读 工业互联网是智能制造发展的基础，可以提供共性的基础设施和能力，中国已将工业互联网作为新基建重要基础设施，为工业智能化提供支撑。不可否认的是，搭上新基建这辆信息时代的快车，无疑会使工业控制系统市场主体如虎添翼，催生工业自动化市场的经济新动能。 XC6VCX240T-2FFG1156I_XILINX XC7K410T-2FFG900C Kintex-7 FPGA KC705
监控和复位芯片 TPS3808G12DBVR TI(德州仪器) SOT-23-6，型号： TPS3808G12DBVR 品牌： TI(德州仪器) 封装： SOT-23-6 描述：监控和复位芯片
BSC014N03LSG TDSON-8 Infineon ，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms Vgs - 栅极-源极电压
BSC011N03LSATMA1 TDSON-8 Infineon，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 230 A Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms Vgs - 栅极-源
BSC011N03LS TDSON-8 Infineon，规格 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 230 A Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:
STM8S207CBT6 ，类别 集成电路（IC） 嵌入式 微控制器 制造商 STMicroelectronics 系列 STM8S 核心处理器 STM8 内核规格 8 位 速度 24MHz 连接能力 I²C，IrDA，LINbus，SPI，UART/USART 外设 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT I/O 数 38 程序存储容量 128KB（128K x 8） 程序存储器类型 闪存 EEPROM 容量 2K x 8 RAM 大小 6K x 8
华雄芯预测：今年中国集成电路设计业销售同比增长16.5%，日前，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长华雄集团总裁李志华在“中国集成电路设计业2022年会暨厦门集成电路产业创新发展高峰论坛”上表示，虽然2022年中国设计企业数量的增速出现了近年来首次下降，但中国集成电路设计产业仍处于高速增长阶段。2022全行业销售额预计为5345.7亿元，比2021年的4586.9亿元增长16.5%。 华雄集团总裁李志华发表了《以持续创新赢得美好未来》为主题的演讲，阐述了国内集成电路设计业的发展现状及问题。华
STM32F030CCT6，类别 集成电路（IC） 嵌入式 微控制器 制造商 STMicroelectronics 系列 STM32F0 核心处理器 ARM® Cortex®-M0 内核规格 32 位单核 速度 48MHz 连接能力 I²C，SPI，UART/USART 外设 DMA，POR，PWM，WDT I/O 数 39 程序存储容量 256KB（256K x 8） 程序存储器类型 闪存 EEPROM 容量 - RAM 大小 32K x 8 电压
华雄芯预测：今年中国集成电路设计业销售同比增长16.5%，日前，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长华雄集团总裁李志华在“中国集成电路设计业2022年会暨厦门集成电路产业创新发展高峰论坛”上表示，虽然2022年中国设计企业数量的增速出现了近年来首次下降，但中国集成电路设计产业仍处于高速增长阶段。2022全行业销售额预计为5345.7亿元，比2021年的4586.9亿元增长16.5%。 华雄集团总裁李志华发表了《以持续创新赢得美好未来》为主题的演讲，阐述了国内集成电路设计业的发展现状及问题。华
STM32F407VGT6，类别 微控制器 制造商 STMicroelectronics 系列 STM32F4 核心处理器 ARM® Cortex®-M4 内核规格 32 位单核 速度 168MHz 连接能力 CANbus，DCMI，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，LINbus，SPI，ART/USART，USB OTG 外设 欠压检测/复位，DMA，I²S，LCD，POR，PWM，WDT I/O 数 82 程序存储容量 1MB（1M x 8） 程序存储器
华雄芯预测：今年中国集成电路设计业销售同比增长16.5%，日前，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长华雄集团总裁李志华在“中国集成电路设计业2022年会暨厦门集成电路产业创新发展高峰论坛”上表示，虽然2022年中国设计企业数量的增速出现了近年来首次下降，但中国集成电路设计产业仍处于高速增长阶段。2022全行业销售额预计为5345.7亿元，比2021年的4586.9亿元增长16.5%。 华雄集团总裁李志华发表了《以持续创新赢得美好未来》为主题的演讲，阐述了国内集成电路设计业的发展现状及问题。华
进口代理，制造商: NXP 产品种类: ARM微控制器 - MCU 系列: LPC176x 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-100 核心: ARM Cortex M3 程序存储器大小: 256 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 100 MHz 输入/输出端数量: 70 I/O 数据 RAM 大小: 64 kB 电源电压-最小: 2.4 V 电源电压-最大: 3.6 V 最小工作温
进口代理，制造商: NXP 产品种类: ARM微控制器 - MCU 系列: LPC176x 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-100 核心: ARM Cortex M3 程序存储器大小: 256 kB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 100 MHz 输入/输出端数量: 70 I/O 数据 RAM 大小: 64 kB 电源电压-最小: 2.4 V 电源电压-最大: 3.6 V 最小工作温
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 开关控制器 RoHS: 详细信息 拓扑结构: Buck 输出端数量: 1 Output 开关频率: 600 kHz 占空比 - 最大: 90 %_ 输入电压: 3 V to 20 V 输出电压: 600 mV to 18 V 输出电流: 25 A 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: VSON-10 封装: Ree
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: WSON-FET-6 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 2 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 5 A Rds On-漏源导通电阻: 35 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 1
ADS7955SDBTR TI(德州仪器) 10KPCS 现货供应 深圳市威尔健，产品型号 ：ADS7955SDBTR 制造商： TI(德州仪器） 描述： 表面贴片型 产品系列：模数转换芯片ADC 包装：编带
