• 电子元器件FAN9672Q 原装现货 功率因数校正 - PFC Interleaved PFC Controller

    功率因数校正 - PFC Interleaved PFC Controller,技术参数 频率75 kHz 针脚数32 占空比97 %_最大占空比97 %_工作温度(Max)105 ℃ 工作温度(Min)-40 ℃ 电源电压15 V 电源电压(Max)30 V 封装参数 安装方式Surface Mount 引脚数32 封装LQFP-32 外形尺寸 长度9 mm 宽度7 mm 高度1.45 mm 封装LQFP-32 物理参数 工作温度-40℃ ~ 105℃ 其他 产品生

  • NCP15XW153E03RC

    原装正品 假一罚十 低价出售 ,NTC热敏电阻温度。传感器和补偿芯片类型)

  • FDN359BN on

    FDN359BN 安森美 场效应管 原装正品 ,N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.7A 功率(Pd):500mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):46mΩ@10V,2.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET 30V,2.7A,46mΩ 此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻

  • MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

    MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 涛能电子原装现货库存。,具有安全特性的NAND器件的特性和优势 写保护: 一项基本的临时安全特性,可通过切换硬件引脚来锁定/解锁整个器件。 块锁: 随着STB软件的范围和大小日益增加,诸如启动、操作系统、MSO应用程序和非关键数据之类的软件区域需要不同的访问级别。 块锁是一项临时安全特性,可与LOCK硬件引脚配合使用,从而灵活地锁定某些存储器块组。如果启动时LOCK引脚为高电平,则整个闪存阵列都会被锁定,并且应将UNLOCK命令用于解锁不需要防止PR

  • SI1143-A11-GMR

    SI1143-A11-GMR,类别 传感器,变送器 环境光、IR 红外线、UV 紫外线传感器 制造商 Silicon Labs 系列 - 包装 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 产品状态 在售 类型 环境 波长 - 接近探测 是 输出类型 I²C 电压 - 供电 1.71V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 10-WFQFN 供应商器件封装 10-QFN(2x2)

  • IR2130S

    IR2130S,产品属性 属性值 制造商: IR 产品种类: 门驱动器 产品: IGBT, MOSFET Gate Drivers 类型: Half-Bridge 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-28 激励器数量: 6 Driver 输出端数量: 6 Output 输出电流: 200 mA 电源电压-最小: 10 V 电源电压-最大: 20 V 上升时间: 80 ns 下降时间: 35 ns 最小工作温度: - 40 C 最

  • 通孔/绕线电阻ER5868RJT

    通孔/绕线电阻ER5868RJT,TE品牌原装正品。,通孔/绕线电阻ER5868RJT,TE品牌 68Ω -5%~5%_轴向 ?8mmx22.2mm 7W 绕线 - 0ppm/°C~60ppm/°C -55°C~200°C 线绕功率电阻器,生产符合非常高的标准,并使用坚固的焊接顶盖和引线结构方法,可提供相当大的强度和抗损坏性能。 该元件绕在陶瓷模型上,并涂有非易燃硅酮粘固粉

  • SI1142-M01-GM

    SI1142-M01-GM,类别 传感器,变送器 环境光、IR 红外线、UV 紫外线传感器 制造商 Silicon Labs 系列 - 包装 带 产品状态 不适用于新设计 类型 IR 波长 850nm 接近探测 是 输出类型 I²C 电压 - 供电 1.71V ~ 3.6V 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 10-SMD 模块,无引线 供应商器件封装 10-QFN(4.9x2.9) 基本产品编号 SI1142

  • FDMS86200

    FDMS86200 原装正品到货,类别 分立半导体产品 晶体管 FET,MOSFET 单 FET,MOSFET 制造商 onsemi 系列 PowerTrench® 包装 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 150 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.6A(Ta),35A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 R

  • AC-DC控制器/稳压器 MAX860ISA+T MAXIM(美信)

    AC-DC控制器和稳压器 MAX860ISA+T SOIC-8 MAXIM(美信),型号: MAX860ISA+T 品牌: MAXIM(美信) 封装: SOIC-8 描述:AC-DC控制器/稳压器

  • 3781-24-0 24.0"(609.60mm) 迷你型钩 至 迷你型钩 测试引线 30VAC,60VDC 1 根引线,黑色

    3781-24-0,配置 抓取器,钩至抓取器,钩 第 1 连接器 迷你型钩 第 2 连接器 迷你型钩 电缆长度 24.0"(609.60mm) 内含物 1 根引线,黑色 材料 - 绝缘 聚氯乙烯(PVC) 线规 20AWG 电压 - 额定 30VAC,60VDC 额定电流(安培) 5 A 温度范围 216°F(102°C) 基本产品编号 3781

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    深圳市瑞冠伟业科技有限公司2023-2-20 9:48:00
  • 3781-12-0 12.0"(304.80mm) 迷你型钩 至 迷你型钩 测试引线 30VAC,60VDC 1 根引线,黑色

    3781-12-0,配置 抓取器,钩至抓取器,钩 第 1 连接器 迷你型钩 第 2 连接器 迷你型钩 电缆长度 12.0"(304.80mm) 内含物 1 根引线,黑色 材料 - 绝缘 聚氯乙烯(PVC) 线规 20AWG 电压 - 额定 30VAC,60VDC 额定电流(安培) 5 A 温度范围 216°F(102°C) 基本产品编号 3781

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    深圳市瑞冠伟业科技有限公司2023-2-20 9:48:00
  • 3781-24-02 24.0"(609.60mm) 迷你型钩 至 迷你型钩 测试引线 30VAC,60VDC 2 条引线,黑色和红色

    3781-24-02,配置 抓取器,钩至抓取器,钩 第 1 连接器 迷你型钩 第 2 连接器 迷你型钩 电缆长度 24.0"(609.60mm) 内含物 2 条引线,黑色和红色 材料 - 绝缘 聚氯乙烯(PVC) 线规 20AWG 电压 - 额定 30VAC,60VDC 额定电流(安培) 5 A 温度范围 216°F(102°C) 基本产品编号 3781

  • CAB-00506 36.0"(914.40mm) 尖头插头 至 迷你型钩 测试引线 2 条引线,黑色和红色

    CAB-00506,配置 香蕉插头至抓取器,钩 第 1 连接器 尖头插头 第 2 连接器 迷你型钩 电缆长度 36.0"(914.40mm) 内含物 2 条引线,黑色和红色

  • ISO1540DR

    ISO1540DR , 商品屬性 屬性值 選擇屬性 製造商: Texas Instruments 產品類型: 數碼隔離器 RoHS: 詳細資料 系列: ISO1540 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: SOIC-8 通道數: 2 Channel 極性: Bidirectional 數據率: 1 Mb/s 絕緣電壓: 2500 Vrms 絕緣類型: Capacitive Coupling 電源電壓 - 最大值: 5.5 V 電源電壓 - 最小值:

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    深圳市瑞冠伟业科技有限公司2023-2-20 9:35:00
  • 华雄芯资讯:5.8亿,上海新阳光刻胶项目启动,国产替代进程加速

    2月19日晚间,上海新阳发布公告称,公司拟与上海化学工业区管委会、上海化学工业区发展有限公司签订《投资意向协议》,变更全资子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司注册于上海化学工业区,并启动位于上海化学工业区的项目建设。,2月19日晚间,上海新阳发布公告称,公司拟与上海化学工业区管委会、上海化学工业区发展有限公司签订《投资意向协议》,变更全资子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司注册于上海化学工业区,并启动位于上海化学工业区的项目建设。 华雄集团董事长朱峻咸分析,项目主要开发集成电路关键工艺材料,总投资额约5

  • BTS4140N

    BTS4140N 原装正品到货,类别 集成电路(IC) 电源管理(PMIC) 配电开关,负载驱动器 制造商 Infineon Technologies 系列 - 包装 卷带(TR) 产品状态 停产 开关类型 通用 输出数 1 比率 - 输入:输出 1:1 输出配置 高端 输出类型 N 通道 接口 开/关 电压 - 负载 4.9V ~ 60V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 不需要 电流 - 输出(最大值) 200mA 导通电阻(典型值)

  • 5.8亿,上海新阳光刻胶项目启动,国产替代进程加速

    光刻胶材料是集成电路制造领域的重要关键材料,广泛应用于350nm-14nm甚至7nm技术节点的集成电路制造工艺。 上海新阳曾于2022年8月左右表示,公司在ArF光刻胶方面,ArF、ArF-i光刻胶研发进展顺利,已经形成两个系列试验产品,样品已经进入客户端进行测试,此外ArF浸没式光刻胶,2月19日晚间,上海新阳发布公告称,公司拟与上海化学工业区管委会、上海化学工业区发展有限公司签订《投资意向协议》,变更全资子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司注册于上海化学工业区,并启动位于上海化学工业区的项目建设。

  • 5.8亿,上海新阳光刻胶项目启动,国产替代进程加速

    5.8亿,上海新阳光刻胶项目启动,国产替代进程加速,2月19日晚间,上海新阳发布公告称,公司拟与上海化学工业区管委会、上海化学工业区发展有限公司签订《投资意向协议》,变更全资子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司注册于上海化学工业区,并启动位于上海化学工业区的项目建设。 华雄集团董事长朱峻咸分析,项目主要开发集成电路关键工艺材料,总投资额约5.8亿元,占地约104亩。预计年产500吨I线、KrF、ArF干/湿法光刻胶;年产10000吨光刻胶稀释剂;年产5000吨高选择比氮化钛刻蚀液系列产品;年产15000

  • 华雄芯资讯:5.8亿,上海新阳光刻胶项目启动,国产替代进程加速

    5.8亿,上海新阳光刻胶项目启动,国产替代进程加速,2月19日晚间,上海新阳发布公告称,公司拟与上海化学工业区管委会、上海化学工业区发展有限公司签订《投资意向协议》,变更全资子公司上海芯刻微材料技术有限责任公司注册于上海化学工业区,并启动位于上海化学工业区的项目建设。 华雄集团董事长朱峻咸分析,项目主要开发集成电路关键工艺材料,总投资额约5.8亿元,占地约104亩。预计年产500吨I线、KrF、ArF干/湿法光刻胶;年产10000吨光刻胶稀释剂;年产5000吨高选择比氮化钛刻蚀液系列产品;年产15000

  • BQ79606 全新原装正品当天发货

    BQ79606PHPRQ1 ,全新原装正品当天发货.,BQ79606PHPRQ1 ,全新原装正品当天发货. 提供BOM表一站式配单配套还有: TLV2462QDGKRQ1 MAX4042ESA NTMS4920NR2G DAC7617EB LM2640MTCX LM2640MTCX-ADJ FDC640P MAX655CSD L6386E SI7862ADP-T1-E3 S29GL128N90FFIR1 S29GL128N90FFIR10 S29GL128P11TFI020

  • STM8S207C8T6 全新原装正品当天发货

    STM8S207C8T6 ,全新原装正品当天发货.,STM8S207C8T6 ,全新原装正品当天发货. 提供BOM表一站式配单配套还有: XC4010XL-3PQ208C XC2S600E-6FG676C XC9572XL-10VQG64I XCS30-3VQ100C XC2S400E-6FG456C XC2S100E-6PQ208C XC4013E-4PQ208C XC5202-6PQ100C XC9572XL-10TQG100I XC5204-6PQ100C XC4013XL-3PQ208C

  • CD4060BM96 全新原装正品当天发货

    CD4060BM96,全新原装正品当天发货.,CD4060BM96 ,全新原装正品当天发货. 提供BOM表一站式配单配套还有: TLE8209-1R TLE8209-1E TPA0211DGNR TSB41LV02APA BUF12800AIPWPRG4 MAX5035BUSA MAX5039EUA+T MAX5035BASA+T S3C6400XL-53 ALC271X ST75C LMX5211NOA TPA6205A1DRBRG4 SN74AHCT74PWRG4

  • FP6601 全新原装正品当天发货

    FP6601,全新原装正品当天发货.,FP6601 ,全新原装正品当天发货. 提供BOM表一站式配单配套还有: SN5440J CLC532AJP TPS51217DSCR TLV2772CDGKR TLV2772CDGKRG4 TLV2773CDGSRG4 TLV2772IDGKRG4 TLV2773IDGSRG4 PFE3000 NCP1587ADR2G TPS2211AIDBRG4 BTS5589G BTS5234G BTS5235-2G BTS5237-2G D

  • 集成电路 AONS62602 AOS

    AONS62602 AOS DFN5X6 10K现货供应,深圳市天卓伟业,Coss(pF)1510FET类型N-Channel栅极电压Vgs20VRds On(Max)@Id,Vgs2.5mΩ@10VCrss(pF)95漏源极电压Vds60VRds On(Max)@4.5V3.6mΩESD DiodeNoCiss(pF)5360Trr(ns)27Qrr(nC)113Qgd(nC)9.5VGS(th)2.5Qg*(nC)35.5Pd-功率耗散(Max)208W连续漏极电流Id85ASchottky Di