IB1205S-2W ，IB1205S-2W 原装正品 封装SIP-4 隔离电源模块芯片IC IB1205S-2W 是一款 DC-DC电源模块，通常用于工业、通信、仪器仪表等领域。以下是其主要应用功能和特点：  1. 电压隔离与转换 • 功能：将输入电压（如 12V DC）转换为稳定的输出电压（如 5V DC）。 • 应用场景： ◦ 在需要不同电压等级的电路中提供隔离和转换。 ◦ 用于保护敏感电路，避免输入电源的干扰或噪声传递到输出端。  2. 隔离保护 • 功能：提供输入与输出
24LC01BT-EOT 原装正品 ，制造商: Microchip 产品种类: 电可擦除可编程只读存储器 RoHS: 详细信息 存储容量: 1 kbit 接口类型: 2-Wire, I2C 最大时钟频率: 400 kHz 组织: 128 x 8 封装 / 箱体: SOT-23-5 访问时间: 900 ns 电源电压-最小: 2.5 V 电源电压-最大: 5.5 V 安装风格: SMD/SMT 数据保留: 200 Year 最小工作温度: - 40 C
TPS65994AD 双端口、 具有集成电源开关、支持 USB4 和交替模式的 USB TypeC ®和 USB PD 控制器，1 特性 • 该器件由 USB-IF 进行了 PD3.0 认证 – 认证新的 USB PD 设计时需使用 PD3.0 器件 • TID#：3495 – 有关 PD2.0 与 PD3.0 的文章 • TPS65994AD 是完全可配置的双端口 USB4 和Thunderbolt 4 (TBT4) PD3.0 控制器 – 此器件可用于 USB4 主机和器件设计 – 支持
LMZ20502保证只有原装正品货，LMZ20502保证只有原装正品货 代理现货LMZ20502 供应 有关咨询LMZ20502 价格 LMZ20502 供货情况 LMZ20502 库存数量 LMZ20502 规格书 LMZ20502 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Texas Instruments 产品种类: 电源管理IC开发工具 RoHS: 详细信息 产品: Evaluation Boards 类型: Voltage Regulator -
DTA124EKA原包原标现货，DTA124EKA原包原标现货 代理现货DTA124EKA 供应 有关咨询DTA124EKA 价格 DTA124EKA 供货情况 DTA124EKA 库存数量 DTA124EKA 规格书 DTA124EKA 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: 数字晶体管 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: PNP 典型输入电阻器: 22 kOhms 典型电
LM2672MX-ADJ，LM2672MX-ADJ 开关稳压器是德州仪器（TI）推出的一款高性能降压型开关稳压器，以下是其相关介绍：特点高效转换：效率高达 96%，能够有效减少能源损耗，降低系统发热。宽输入电压范围：输入电压范围为 8V 至 40V，能够适应多种不同的电源输入条件。可调输出电压：输出电压范围为 1.21V 至 37V，通过外部电路的简单设置，可灵活调整输出电压，以满足不同负载的需求。大输出电流：能够驱动 1A 的负载电流，可满足大多数中小功率负载的供
HD64F2215TE16V，HD64F2215TE16V 是瑞萨电子（RENESAS）推出的一款 16 位微控制器，以下是关于它的详细介绍：基本参数核心处理器：H8S/2000核心尺寸：16 位速度：16MHz连接性：支持 SCI（串行通信接口）、智能卡、USB 等连接方式。外设：具备 DMA（直接内存访问）、POR（端口）、PWM（脉冲宽度调制）、WDT（看门狗定时器）等外设。I/O 数：68程序存储容量：256KB（256K x 8）
供应全新原装正品光耦6N137S(TA),门市自取或当天发货。，6N137S 是一款高速光耦合器（光电耦合器），广泛应用于数字信号隔离和高速通信场景。以下是其详细参数和应用功能解析： 1. 参数解析 基本参数 型号：6N137S 类型：高速光耦合器 制造商：常见制造商包括 Broadcom（原Avago）、Everlight 等。 封装：SOP-8（表面贴装封装） 隔离电压：通常为 3750 Vrms（具体值需参考制造商数据手册）。 逻辑接口：TTL/CMOS 兼容输出。 传输速率：最高
供应全新2SD669,门市自取或当天发货。，2SD669 是一款常见的 NPN型功率晶体管，广泛应用于音频放大器、开关电路和功率驱动等场景。以下是其详细参数和应用功能解析： 1. 参数解析 基本参数 型号：2SD669 类型：NPN功率晶体管 封装：TO-126（塑料封装，适合散热） 极性：NPN 最大集电极-发射极电压（Vceo）：120V 最大集电极-基极电压（Vcb）：120V 最大发射极-基极电压（Vebo）：5V 最大集电极电流（Ic）：1.5A 最大耗散功率（Pc）：
供应全新原装正品电解电容16YXF330MEFCTA8X11.5,门市自取或当天发货。，16YXF330MEFCTA8X11.5，这是一个典型的铝电解电容器的型号，以下是其参数和应用功能的详细解析： 1. 参数解析 通过型号可以拆解出以下信息： 16YXF： 表示电容器的系列名称，通常由制造商定义。 16：表示电容器的额定电压为 16V。 YXF：是系列代码，通常表示该电容器的特性，例如低阻抗、高频性能等。YXF系列是**Rubycon（红宝石）**品牌的低阻抗铝电解电容器系列，适用于高频和长
供应全新原装正品0Z26030001，1. 检查产品所属领域 电子元器件：如果是电子元器件（如芯片、传感器、模块等），可以通过型号查询其数据手册（Datasheet），了解具体参数和功能。 机械零件：如果是机械零件，可能需要参考设备的使用手册或联系供应商获取详细信息。 软件模块：如果是软件或系统模块编号，可能需要查看相关的技术文档或开发者指南。 2. 参数和功能的可能性 如果“0Z26030001”是电子元器件或模块，以下是一些常见的功能方向： 传感器：可能是温度、压力、湿度等传感器，应用
采用晶圆级芯片规模封装 (WCSP) 并具有两线式接口的 低功耗、数字温度传感器，1特性 • 多器件存取 (MDA)： – 全局读/写操作 • I2C™/ SMBus™ 兼容型接口 • 分辨率： 8 位 • 准确度： 典型值为 ±1℃ （―40℃ 至 +100℃） • 低静态电流： – 运行模式中的 IQ 为 3μA （在 0.25Hz 频率条件下） – 停机模式中为 IQ 为 1μA • 电源范围： 1.4V 至 3.6V • 数字输出 • 封装： 4 焊球 WCSP
STM32L051K8U6TR进口单片机来自意法，STM32L051K8U6TR 单片机的应用与研究 引言 在现代电子技术的发展过程中，单片机作为实现智能控制功能的核心组件之一，得到了广泛应用。STM32系列单片机因其高性能、低功耗以及丰富的外围接口，尤其在嵌入式系统、物联网以及便携式设备等领域展现出良好的应用优势。STM32L051K8U6TR，作为STM32系列中的一款低功耗单片机，具有极高的性价比，并在多种应用场景下得到了有效的应用。 1. STM32L051K8U6TR 单片机概
村田车规电容GCJ188R71H222KA01D的特性与应用，村田车规电容GCJ188R71H222KA01D的特性与应用 在现代汽车电子系统中，电容器扮演着至关重要的角色。随着汽车电子化程度的不断提高，对电容器的性能要求也随之提升。村田（Murata）作为全球知名的电子元器件制造商，其车规级电容器在汽车行业得到了广泛应用。其中，GCJ188R71H222KA01D是一款备受关注的车规级电容器，本文将对其特性、应用以及市场趋势进行详细探讨。 1. 材料与结构 GCJ188R71H222K
LTST-S482KRKT-5A发光二极管的特性与应用研究，LTST-S482KRKT-5A发光二极管的特性与应用研究 发光二极管（LED）作为一种常见的半导体光源，因其耗电低、寿命长以及发光效率高等诸多优点，被广泛应用于各种领域。在众多LED产品中，LTST-S482KRKT-5A以其独特的性能和广泛的适用性，引起了众多研究者和工程师的关注。本文将从LTST-S482KRKT-5A的结构、工作原理、光电特性以及其在实际应用中的优劣等方面进行深入探讨。 LTST-S482KRKT-5A的基本结
XC2S50-5PQG208C可编辑逻辑器的深入探讨，XC2S50-5PQG208C可编辑逻辑器的深入探讨 在现代电子设计中，场可编程门阵列（FPGA）作为一种强大的硬件描述语言（HDL）可编程逻辑器件，广泛应用于各类应用场景，如通信、图像处理、嵌入式系统及数字信号处理等。其中，Xilinx公司生产的XC2S50-5PQG208C FPGA，凭借其独特的性能参数和设计灵活性，成为了众多工程师和研究人员的首选。 XC2S50-5PQG208C属于Xilinx Spartan-2系列，主要定位于低
TMS320F2837xS 实时微控制器，1 特性 • TMS320C28x 32 位 CPU– 200MHz– IEEE 754 单精度浮点单元 (FPU)– 三角法数学单元 (TMU)– Viterbi/复杂数学单元 (VCU-II) • 可编程控制律加速器 (CLA)– 200MHz– IEEE 754 单精度浮点指令– 独立于主 CPU 执行代码 • 片上存储器– 512KB (256KW) 或 1MB (512KW) 闪存（ECC保护） – 132KB (66KW) 或 164KB (8
CSD95372BQ5MC 同步降压NexFET™ 智能功率级，1特性 • 60A 持续运行电流能力 • 电流 30A 时，系统效率为 93.4%_• 电流 30A 时，2.8W 低功率损耗 • 高频工作（高达 1.25MHz） • 支持强制连续传导模式 (FCCM) 的二极管仿真模式 • 温度补偿双向电流感测 • 模拟温度输出（0°C 时 600mV） • 故障监控– 高端短路、过流和过热保护 • 3.3V 和 5V 脉宽调制 (PWM) 信号兼容 • 三态 PWM 输入 • 集成型
BAT54S原包原标现货价优，BAT54S原包原标现货价优 代理现货BAT54S 供应 有关咨询BAT54S 价格 BAT54S 供货情况 BAT54S 库存数量 BAT54S 规格书 BAT54S 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Diotec Semiconductor 产品种类: 肖特基二极管与整流器 RoHS: 详细信息 REACH - SVHC: 详细信息 产品: Schottky Diodes 安装风格: SMD/SMT 封装
用于锂离子电池和磷酸盐电池的 BQ769x0 3 节至 15 节串联、电池监控器系列，说明 BQ769x0 可靠的模拟前端 (AFE) 器件系列是针对下一代高功率系统（如轻型电动车辆、电动工具和不间断电源）的完整电池组监控与保护解决方案的组成部分。BQ769x0 专为实现低功耗而设计：不仅可通过启用/禁用 IC 中的子块来控制整个芯片的电流消耗，还可以利用运输模式将电池组轻松切换至超低功耗状态。 BQ76920 器件支持多达 5 节串联电池或典型值为 18 V的电池组，BQ76930 可处理多达
2N7002原包原装原标现货，2N7002原包原装原标现货 代理现货2N7002 供应 有关咨询2N7002 价格 2N7002 供货情况 2N7002 库存数量 2N7002 规格书 2N7002 产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel
NTMFS4C810NAT3G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C810NAT3G 供货情况 NTMFS4C810NAT3G 产品购买 NTMFS4C810NAT3G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 46 A Rds On-漏源导通电阻
NTMFS005P03P8ZST1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS005P03P8ZST1G 供货情况 NTMFS005P03P8ZST1G 产品购买 NTMFS005P03P8ZST1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 封装: Reel 封装: Cut Tape 商标: onsemi 产品类型: MOSFETs 系列: NTMFS005P03P8Z 工厂包装数量：1500 子类别:
NTMFS4C324NT1G 数量5000，批号24+ 原装现货，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C324NT1G 供货情况 NTMFS4C324NT1G 产品购买 NTMFS4C324NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30
NTMFS4C808NAT3G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C808NAT3G 供货情况 NTMFS4C808NAT3G 产品购买 NTMFS4C808NAT3G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 16.4
