OP90GSZ 是 Analog Devices Inc.（亚德诺半导体）推出的一款高性能、微功耗的精密放大器，OP90GSZ 是 Analog Devices Inc.（亚德诺半导体）推出的一款高性能、微功耗的精密放大器，以下是关于它的详细介绍：特点高精度：输入失调电压（Vos）低至 125μV，部分数据手册显示典型值甚至可达 40μV，有效减少了输出误差，提高测量和控制精度。高共模抑制比：共模抑制比（CMRR）高达 100dB 甚至更高，能够很好地抑制共模信号干扰，即使在存在较
BSP716NH6327XTSA1 60000PCS 威尔健现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP716NH6327XTSA1 品牌 INFINEON 封装 SOT-223 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）160 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（
ADS1110A0IDBVR，更多详情参数或规格书请联系 ADS1110A0IDBVR 供货情况 ADS1110A0IDBVR 产品购买 ADS1110A0IDBVR 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Texas Instruments 产品种类: 模数转换器 - ADC RoHS: 系列: ADS1110 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-6 分辨率: 16 bit 通道数量: 1 Channel 接口类型: I2C
ULN2003A 是一款常用的高电压、大电流达林顿晶体管阵列，，参数 通道数量：包含 7 个独立的达林顿晶体管对。 最大集电极电流：单个通道持续电流可达 500mA，峰值电流可达 1A。 集电极 - 发射极耐压：最高 50V，能适应多种中高压负载。 输入特性：输入兼容 TTL/CMOS 电平（5V 逻辑），每个输入端串联 2.7kΩ 基极电阻。 封装形式：常见为 16 引脚 DIP（双列直插）或 SOIC（表面贴装）封装。 工作温度范围：-40℃至 + 100℃，适应多数工业和民用环境。 核
ULN2803A 是一款常用的高电压、高电流达林顿晶体管阵列，，参数 类型：达林顿晶体管矩阵 驱动器 / 接收器数：8/0 晶体管极性：NPN 封装 / 箱体：PDIP-18 集电极 — 发射极最大电压 VCEO：50V 峰值直流集电极电流：0.5A 最大工作温度：+150℃ 最小工作温度：-65℃ 集电极连续电流：500mA 安装类型：通孔 特点 高电压、大电流驱动能力：每个达林顿对的集电极电流额定值为 500mA，集电极 — 发射极最大电压可达 50V，能够直接驱动需要高电压、
AD9240ASZRL ，AD9240ASZRL 单芯片 ADC 模数转换芯片的详细介绍：基本信息制造商：Analog Devices Inc.（亚德诺半导体）。产品种类：模数转换器（ADC）。系列：AD9240。安装风格：SMD/SMT。封装 / 箱体：MQFP-44。性能参数分辨率：14 位，能够对模拟信号进行较为精细的量化，可区分出2 /14个不同的量化电平，使得转换后的数字信号能更精确地反映模拟输入信号的幅值。采样速率
LMC555IMX计时器，LMC555IMX 是德州仪器（Texas Instruments）推出的一款 CMOS 定时器，属于 555 定时器系列，具有低功耗、高精度等特点。以下是详细介绍：主要特点小尺寸封装：采用 8 引脚 SOIC 封装，也有更小的 8 凸点 DSBGA 封装（尺寸为 1.43mm×1.41mm），是业界最小的 555 定时器，节省电路板空间，适合小型化设备。高频率性能：最高稳定频率可达 3MHz，可满足一些对时钟频率要求较高的应用场景。低功耗：5V
NTMFS4C10NAT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C10NAT1G 供货情况 NTMFS4C10NAT1G 产品购买 NTMFS4C10NAT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 46 A
NTMFS4C10NCT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C10NCT1G 供货情况 NTMFS4C10NCT1G 产品购买 NTMFS4C10NCT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 15 A R
NTMFS4C08NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C08NT1G 供货情况 NTMFS4C08NT1G 产品购买 NTMFS4C08NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 52 A R
NTMFS4C09NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS4C09NT1G 供货情况 NTMFS4C09NT1G 产品购买 NTMFS4C09NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 52 A Rd
BSP135H6327XTSA1 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP135H6327XTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 批次 SOT-223 漏源电压（Vdss）600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）0V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）45 欧姆 @ 120mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1V @ 94µA 不同 Vgs 时
AC-DC控制器和稳压器，核心参数速览： 输入电压范围：4.5V-36V（宽压设计，适应复杂电源环境） 输出电流：3A持续电流（峰值4A） 效率：高达95%（同步整流架构） 开关频率：500kHz（支持小体积电感） 静态电流：仅100µA（轻载高效，待机省电） 保护功能：过流/过压/过温保护（全集成，安全可靠） 封装：SOIC-8（EP），散热优化，适合工业应用 为什么选择MP44014GS？ 超宽输入电压（4.5V-36V） 兼容12V/24V工业总线、车载电源、电池供电系统，应
意法半导体（ST）旗下超低功耗8位微控制器，专为电池供电与能效敏感场景设计，性价比碾压同级！，关键参数速览： 内核： STM8 8位核心，16MHz主频，高效CISC指令集 功耗： 运行模式：低至150µA/MHz（3V） 停机模式（Halt）：0.35µA（保持RAM数据） 待机模式（Active-Halt）：1µA（RTC运行） 存储： 32KB Flash + 2KB EEPROM + 2KB RAM 外设： 12位ADC（1Msps）、DAC、比较器 硬件加密（AES-1
功能类型 : 升压型、输出类型 : 可调、工作电压 : 0.3V~5.5V、输出电压 : 1.8V~5.5V，核心参数速览： 输入电压范围：0.3V~5.5V（适合单节/双节电池供电） 输出电压：可调（1.8V~5.5V） 输出电流：最高 400mA（5V输出时） 效率：高达95%（优化低功耗应用） 静态电流：仅 15µA（超低待机功耗） 开关频率：1.2MHz（支持小尺寸电感） 封装：VSON-10 (3x3mm)，节省PCB空间 为什么选择TPS61200DRCR？ 超低压启动（
ADuM1201AR，核心参数速览： 隔离电压：5000Vrms（UL1577认证） 通道数：2通道（1正向 + 1反向） 数据速率：25Mbps（高速通信支持） 工作电压：3.0V~5.5V（兼容3.3V/5V系统） 功耗：1.6mA/通道（@1Mbps），超低待机功耗 传输延迟：11ns（典型值），信号无失真 封装：SOIC-8，标准工业封装 为什么选择ADuM1201AR？ 超高隔离耐压（5000Vrms） 适用于 工业自动化、电机驱动、光伏逆变器 等高压隔离场景，安全可靠
ADL5904ACPZN-R7 是亚德诺半导体（ADI）推出的一款高性能对数检波器，在射频信号处理领域有着广泛应用，，参数 对数精度：在 -60 dBm 至 +10 dBm 的输入功率范围内，对数精度典型值为 ±0.3 dB ，能够较为精准地将射频输入功率转换为对数电压输出，满足对信号功率精确测量的需求。 工作频率范围：工作频率范围宽，从 10 MHz 到 6 GHz，可适应多种不同频段的射频信号检测，无论是在较低的通信频段，还是较高的微波频段，都能实现有效检测。 输出电压范围：输出电压范围通常与输
AP6503SP-13 DIODES(美台) SOP-8-EP 现货供应 欢迎来电咨询，AP6503SP-13 品牌： DIODES(美台) 封装： SOP-8-EP 工作电压：4.7V~23V 输入电流：3A 通道数：1 类目：DC-DC电源芯片 AP6503SP-13 是美台（DIODES）公司生产的一款高性能 DC-DC 降压转换器芯片。具体介绍如下： 基本参数： 封装形式：采用 SO-8EP 封装，便于表面贴装，有利于自动化装配。 输入电压：范围为 4.7V 至 2
ADL5801ACPZ 是亚德诺半导体（Analog Devices）推出的一款 RF 混频器，，参数 封装形式：采用 LFCSP24_4X4MM_EP 封装（24 引脚薄型无引脚芯片封装 ，尺寸为 4mm×4mm ） 。 引脚数：24Pin。 电源电压：供电电压范围在 4.75V - 5.25V，典型应用时单电源供电为 5V，电流消耗为 130mA 。 工作温度：工作温度范围是 -40℃~+85℃ ，存储温度范围为 - 65℃~+150℃ 。 湿气敏感性等级 ：3（168 小时），意味着在一定
BSP170PH6327XTSA1 60000PCS ，型号BSP170PH6327XTSA1 品牌 INFINEON 封装 SOT223 漏源电压（Vdss） 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 1.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14 n
USB2517-JZX原装现货支持检测，USB2517-JZX原装现货支持检测 代理现货USB2517-JZX供应 有关咨询USB2517-JZX价格 USB2517-JZX供货情况 USB2517-JZX库存数量 USB2517-JZX规格书 USB2517-JZX产品购买，请联系！ 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Microchip 产品种类: USB 接口集成电路 RoHS: 详细信息 产品: USB Hubs 类型: Hub Controller 安装风
K4H511638J-LCCC 是三星公司生产的一款 DDR1 DRAM 存储器芯片，K4H511638J-LCCC 是三星公司生产的一款 DDR1 DRAM 存储器芯片，以下是关于它的详细介绍：基本参数存储容量：512Mb，组织形式为 32M×16，即有 32M 个存储单元，每个单元存储 16 位数据。封装形式：采用 TSOP II-66 封装，外观为长方形，引脚间距为 0.65mm，这种封装形式具有良好的电气性能和散热性能，适合表面贴装技术。工作电压：VDD（芯片核心电
ADUM5401ARWZ 是一款由 Analog Devices（ADI）公司生产的四通道数字隔离器，ADUM5401ARWZ 是一款由 Analog Devices（ADI）公司生产的四通道数字隔离器，以下将从其特点、参数、应用等方面进行详细介绍：主要特点集成 DC/DC 转换器：内置 isoPower® 隔离式 DC/DC 转换器，基于 iCoupler® 技术，采用 5.0 V 或 3.3 V 电源时，可提供高达 500 mW 的稳压隔离功率，无需额外的隔离式 DC/DC 转换器，节
2EDN8533RXTMA1 贴片 栅极驱动器 Infineon一站式bom配单，Infineon 代理分销 2EDN8533RXTMA1代理 2EDN8533RXTMA1其他参数联系客服 2EDN8533RXTMA1 替代型号 2EDN8533RXTMA1停产了吗 2EDN8533RXTMA1现货5k 2EDN8533RXTMA1哪一年停产的 2EDN8533RXTMA1最小包装 2EDN8533RXTMA1 PDF文件 规格书 2EDN8533RXTMA1最新年份是什么时候 2ED
TPS61087DRCR凭借其高效率、小尺寸和超低静态电流，成为电池供电设备的理想选择，尤其适合对空间和功耗敏感的设计需求。，专业参数解析： 输入电压范围：1.8V 至 5.5V（适合单/双节电池供电） 输出电压范围：2.5V 至 5.5V（可调，灵活适配多种负载） 峰值开关电流：3A（支持大电流输出，负载能力强） 静态电流：仅15μA（超低功耗，延长电池寿命） 效率高达95%（同步整流架构，减少热量损耗） 工作频率：1.2MHz（高频开关，减小外围元件尺寸） 封装：VSON-10（3mm×
