ISO124U
ISO124U，型号 ISO124U 封装 SOIC8 批号 22+ 数量 30000 制造商 TexasInstruments 产品种类 隔离放大器 RoHS 是 系列 ISO124 通道数量 1Channel 绝缘电压 1500Vrms 隔离类型 Capacitive,Galvanic 3dB带宽 50kHz CMRR-共模抑制比 140dB Vos-输入偏置电压 50mV 电源电压-最大 18V 电源电压-最小 4.5V 工作电源电流
TQP9111
TQP9111，品牌 QORVO/威讯 封装 QFN-20 批号 23+ 数量 95000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -50C 最大工作温度 90C 最小电源电压 2.5V 最大电源电压 8V 长度 7.2mm 宽度 5.6mm 高度 1.9mm 可售卖地 全国 型号 TQP9111
NCP1014AP065G
NCP1014AP065G，品牌 安森美 封装 DIP-7 批号 21+ 数量 161616 制造商 ON Semiconductor 产品种类 开关控制器 RoHS 是 拓扑结构 Flyback 开关频率 71 kHz 占空比 - 最大 72 %_最大工作温度 + 150 C 安装风格 Through Hole 封装 / 箱体 PDIP-7 系列 NCP1014 工作电源电压 - 0.3 V to 10 V 单位重量 851 mg 可售卖地
LC709209FXE-01TBG LC709209F WLCSP-12 原装现货
LC709209FXE-01TBG LC709209F WLCSP-12 ，制造商: onsemi 产品种类: 电池管理 RoHS: 详细信息 产品: Fuel Gauges 电池类型: Lithium-ion, Lithium Polymer 输出电压: 2.7 V 工作电源电压: 2.5 V to 5 V 封装 / 箱体: WLCSP-12 安装风格: SMD/SMT 系列: LC709209F 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: Mo
NCV8184DTRKG，低压差稳压器 汽车应用远程传感器
qin，NCV8184DTRKG是一款单片集成式低压差跟踪电压调节器，旨在提供可调节的缓冲输出电压，紧密跟踪（±3.0 mV）参考输入。该部件可用于带有远程传感器的汽车应用，或任何需要隔离调节器输出的情况。NCV8184还允许用户在需要增加电流时对其模块进行快速升级，而现有的调节器无法提供。该部件的多功能性也使其能够用作高端驱动器。 1.特点 •70 mA电源能力•输出跟踪在±3.0 mV以内•低输入电压跟踪性能（可工作至VREF=2.1 V）•低跌落（0.35 V典型值@50 mA）
MK64FN1M0VLL12是一款ARM微控制器 - MCU
MK64FN1M0VLL12作为一款ARM微控制器，具有强大的处理能力、丰富的外设接口、丰富的存储和通信接口以及良好的安全功能，适用于各种嵌入式系统中，MK64FN1M0VLL12是一款ARM微控制器（MCU），它是一种高性能、低功耗的微控制器，广泛应用于各种嵌入式系统中。ARM架构的微控制器以其强大的处理能力和丰富的外设接口而闻名，而MK64FN1M0VLL12作为其中的一员，具有许多优秀的特性和功能。首先，MK64FN1M0VLL12采用了ARM Cortex-M4内核，拥有高达120
ADAU1466WBCPZ300RL 音频 DSP
ADAU1466WBCPZ300RL是一款音频数字信号处理器(DSP)，它具有强大的功能和灵活性，适用于各种音频处理应用。，ADAU1466WBCPZ300RL是一款音频数字信号处理器(DSP)，它具有强大的功能和灵活性，适用于各种音频处理应用。该器件集成了多个数字信号处理功能，包括滤波、混响、均衡和压缩等，能够满足音频处理的多种需求。ADAU1466WBCPZ300RL采用先进的数字信号处理技术，能够实现高质量的音频处理和处理。它具有高性能的处理能力和低功耗的特点，适合于电池供电的移动设
FH8536HCMOS图像传感器
FH8536是一款针对CIS（CMOS Image Sensor）的图像信号处理芯片，符合RosH，可支持2.0/1.3/1.0M Pixel CIS，支持标准CVBS/960H/1280H和720P/1080P模拟高清输出，主要应用于中低端高清摄像机 ，FH8536H 安防监控 摄像设备是一款针对CIS（CMOS Image Sensor）的高性能专业安防摄像机图像处理芯片。FH8536H支持1M/1.3M/2M/3M的CMOS 传感器输入，支持标准的CVBS/960H/1280H复合视频输出和720P
IPW60R060P7XKSA1
进口代理，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 600 V Id-连续漏极电流: 48 A Rds On-漏源导通电阻: 49 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
DRV8849双路步进电机驱动器
DRV8849双路步进电机驱动器设计用于工业和消费类应用，Texas Instruments DRV8849双路步进电机驱动器设计用于工业和消费类应用。该器件完全集成了四个N沟道功率MOSFET H桥驱动器、一个用于每个步进的微步进分度器以及集成电流检测功能。DRV8849可驱动高达1.5A满量程输出电流（取决于PCB设计）。
LM74912Q1EVM评估模块
LM74912Q1EVM评估模块 ， Texas Instruments LM74912Q1EVM评估模块 Texas Instruments LM74912Q1EVM评估模块设计用于快速轻松地演示LMLM74912-Q1理想二极管控制器（采用24引脚VQFN封装）的运行情况。LM74
BSC670N25NSFDATMA1
进口代理，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 REACH - SVHC: 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TDSON-8 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 250 V Id-连续漏极电流: 24 A Rds On-漏源导通电阻: 59 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极
SN74HCS08PWR
SN74HCS08PWR，SN74HCS08PWR芯片是一种集成电路芯片，常用于数字电子设备中的逻辑门电路。该芯片采用高性能CMOS技术，具有低功耗和高速运算的特点，适用于各种电子设备的设计和制造。 SN74HCS08PWR芯片内部集成了四个二输入AND门，每个AND门都具有高电平输入和低电平输入。该芯片的工作电压范围广泛，可以在2V至6V的电压下正常工作，同时具有抗静电和抗串扰的特性，能够保证电路的稳定性和可靠性。 除此之外，SN74HCS08PWR芯片还具有独立输出的特点，每个AND门都具
ADC161S626CIMME/NOPB
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 模数转换器 - ADC RoHS: 详细信息 系列: ADC161S626 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: MSOP-10 分辨率: 16 bit 通道数量: 1 Channel 接口类型: 3-Wire, SPI 采样比: 250 kS/s 输入类型: Differential 结构: SAR 模拟电源电压: 4.5 V to 5.5 V 数字电源电压: 2.7 V t
MSP430G2553IPW20R
进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 16位微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 核心: MSP430 程序存储器大小: 16 kB 数据 RAM 大小: 512 B 封装 / 箱体: TSSOP-20 最大时钟频率: 16 MHz ADC分辨率: 10 bit 输入/输出端数量: 16 I/O 电源电压-最小: 1.8 V 电源电压-最大: 3.6 V 安装风格: SMD/SMT 数据总线宽度: 16 bit
DRV8718SQRVJRQ1 马达/运动/点火控制器和驱动器
DRV8718SQRVJRQ1 ，DRV8718SQRVJRQ1是一款高性能的马达/运动/点火控制器和驱动器，它为用户提供了多种功能和性能优势。该控制器和驱动器适用于各种工业和汽车应用，能够满足不同领域的需求。首先，DRV8718SQRVJRQ1具有高度集成的特点，集成了多种功能模块，包括电流控制、速度控制、位置控制等，使得用户可以轻松实现对马达/运动/点火系统的精准控制。其高度集成的设计也使得系统的布局更加简洁，减少了外部元件的使用，降低了系统的成本和功耗。其次，该控制器
DAC7664YT 四通道、16位、12uS稳定时间、+/- 1 LSB DNL数模转换器
DAC7664YT 四通道、16位、12uS稳定时间、+/- 1 LSB DNL数模转换器，DAC7664YT 四通道、16位、12uS稳定时间、+/- 1 LSB DNL数模转换器 产品型号：DAC7664YT 产品品牌：TI/德州仪器 产品封装：LQFP64 产品功能：精密DAC(≤10MSPS) DAC7664YT特性 ●低闪烁：1nV-s（典型值） ●低功率：18mW ●单极或双极操作 ●沉淀时间：12µs至0.003%_●16位线性和单调性：
NXH400N100H4Q2F2PG
NXH400N100H4Q2F2PG IGBT模块在电力电子领域有着广泛的应用，包括逆变器、直流变换器、交流电源和电机驱动器等方面，NXH400N100H4Q2F2PG IGBT模块是一种高性能的功率半导体器件，广泛应用于工业控制、电力变换和电动汽车等领域。它具有高效率、高可靠性和高功率密度的特点，能够在高温、高压和高频环境下稳定工作。这种IGBT模块采用先进的封装技术和材料，具有良好的散热性能和抗电磁干扰能力，能够有效地保护电路和延长设备的使用寿命。同时，它还具有快速开关速度和低开关损耗
ATSHA204A-SSHDA-T
ATSHA204A-SSHDA-T，ATSHA204A-SSHDA-T芯片是一种高度安全的加密芯片，主要用于存储和管理加密密钥。该芯片采用先进的加密算法，能够有效地保护存储在其中的数据不被非法访问和篡改。ATSHA204A-SSHDA-T芯片具有多种安全功能，包括物理防护、安全传输和身份验证等，可以广泛应用于智能卡、电子钱包、智能电表等领域。 ATSHA204A-SSHDA-T芯片采用单向认证和挑战响应认证等多种安全机制，能够防范各种攻击手段，确保存储的密钥和数据的安全性。此外，该芯片还具有高度的灵
ATSHA204A-SSHDA-B
ATSHA204A-SSHDA-B，ATSHA204A-SSHDA-B芯片是一种高度安全的加密芯片，广泛用于各种电子设备和系统中。该芯片采用先进的加密算法，能够提供可靠的安全性保护，防止未经授权的访问和数据泄露。 ATSHA204A-SSHDA-B芯片具有多种功能，包括密钥生成、认证、加密和计数器功能。它可以与主控芯片或安全微控制器配合使用，为设备提供强大的安全性能。该芯片还具有防篡改和防伪造功能，可以有效防止设备被篡改或仿冒。 ATSHA204A-SSHDA-B芯片采用单线串行接口通信，具有
STGIPQ5C60T-HZ功率半导体器件
STGIPQ5C60T-HZ适用于各种电力电子应用，STGIPQ5C60T-HZ IGBT模块是一种高性能、高可靠性的功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。该模块采用了先进的IGBT技术，具有低导通压降、高开关速度和低开关损耗的特点。这使得STGIPQ5C60T-HZ IGBT模块在各种功率电子应用中具有出色的性能。STGIPQ5C60T-HZ IGBT模块的主要特点之一是其高可靠性。该模块经过严格的质量控制和测试，确保在各种恶劣环境下都能稳定可靠地工作。此外，该模块还具有良好的热稳定性
MUBW30-12A6K IGBT模块是一种高性能的功率半导体器件
MUBW30-12A6K IGBT模块采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能和耐高压能力，能够在恶劣的工作环境下长时间稳定运行，MUBW30-12A6K IGBT模块是一种高性能的功率半导体器件，广泛应用于工业电子设备中。该模块具有优异的电气特性和稳定的性能，能够在高压和高温环境下稳定运行。它采用了先进的集成技术，具有低功耗、高效率和高可靠性的特点。MUBW30-12A6K IGBT模块广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域，为设备的稳定运行和高效能提供了有力支持。MUBW30-
NFAQ1060L33T模块
NFAQ1060L33T模块，NFAQ1060L33T模块是一种高性能的电子设备，广泛应用于各种工业和商业领域。该模块采用先进的技术和材料，具有稳定可靠的性能和卓越的功能。它可以有效地处理大量的数据和信息，为用户提供精准的分析和预测。NFAQ1060L33T模块还具有灵活的设计和易于安装的特点，可以满足不同环境和需求的使用。它为用户提供了高效的解决方案，帮助他们提高生产效率和降低成本。总的来说，NFAQ1060L33T模块是一种先进的电子设备，将为各行各业的用户带来巨大的便利和价值。
APT200GN60JDQ4 IGBT 模块
APT200GN60JDQ4 IGBT 模块是一种高性能的功率半导体器件，用于控制和调节电流和电压，APT200GN60JDQ4 IGBT 模块是一种高性能的功率半导体器件，用于控制和调节电流和电压。它具有低导通压降、高开关速度和高可靠性的特点，广泛应用于工业控制、电力电子和新能源领域。该模块采用了先进的绝缘栅双极型晶体管（IGBT）技术，能够在高电压和高电流下工作。它具有低开关损耗和低导通压降，能够有效降低系统能耗，提高能源利用率。除此之外，APT200GN60JDQ4
FS150R12N2T7B15BPSA1功率半导体器件
FS150R12N2T7B15BPSA1 IGBT模块是一种高性能、可靠性强的功率半导体器件，适用于各种工业和电子设备中的功率控制和变换应用，FS150R12N2T7B15BPSA1 IGBT模块是一种高性能的功率半导体器件，主要用于控制大电流和高电压的电路。它具有低导通压降、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各种工业和电子设备中的功率控制和变换应用。该模块采用最先进的技术和材料制造，具有优异的电气特性和可靠性。其结构紧凑，体积小，适合安装在各种紧凑空间的设备中。此外，它还具有良好的散热性
