IMBG120R008M2HXTMA1 MOSFET
Infineon 的 CoolSiC G2 MOSFET 可加速系统设计,实现成本优化、高效、紧凑且可靠的解决方案 ,Infineon 碳化硅 (SiC) CoolSiC MOSFET 采用最先进的沟槽半导体工艺制造,该工艺经过优化,可实现应用中的最低损耗和最高的运行可靠性。分立式 CoolSiC MOSFET 产品组合包括 650 V、750 V、1200 V、1700 V 和 2000 V 电压等级,导通电阻额定值从 7 mΩ 至 1000 mΩ。CoolSiC 沟槽技术可实现灵活的参数集,以在各自的