EPM240T100C5N，更多详情参数或规格书请联系 EPM240T100C5N供货情况 EPM240T100C5N产品购买 EPM240T100C5N 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: Altera 产品种类: CPLD - 复杂可编程逻辑器件 RoHS: 系列: EPM240 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TQFP-100 工作电源电压: 2.5 V, 3.3 V 大电池数量: 192 Macrocell 输入/输出端数量: 80
DTA143EKAT146，更多详情参数或规格书请联系 DTA143EKAT146 供货情况 DTA143EKAT146产品购买 DTA143EKAT146中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: ROHM Semiconductor 产品种类: 数字晶体管 RoHS: 配置: Single 晶体管极性: PNP 典型输入电阻器: 4.7 kOhms 典型电阻器比率: 1 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-346-3 直流集电极/Base
给出三步改造方案：拆除老旧模拟传感器→接入MP421A数字模块→对接现有EHS平台，最低成本实现传统防护设备的智能化升级。，在工业生产、建筑工地、机场、乃至繁忙的办公环境中，噪声无处不在。长期暴露于高强度噪声环境，不仅影响工作效率，更会导致不可逆的听力损伤，给个人、家庭和企业带来沉重的负担。因此，构建精准、高效、智能化的听力保护与噪声监测系统，已成为现代企业社会责任和职业健康安全的刚性需求。 在这一领域，传统的噪声检测方案往往面临体积大、成本高、功耗高、集成度低等挑战。华芯邦深厚的集成电路设计能力，
ADS54J60IRMP Texas Instruments VQFN-72 ，ADS54J60IRMP 品牌： Texas Instruments 封装： VQFN-72 类目：模数转换器 - ADC 工作电压：1.9 V
TLE4266-2GS V33 Infineon 低压差稳压器 SOT-223-3 ，产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: 低压差稳压器 发货限制： Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。 RoHS: 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-223-3 输出电压: 3.3 V 输出电流: 150 mA 输出端数量: 1 Output 极性: Positive 输入电压 - 最小值: 4.4 V 输入电
BSP318SH6327XTSA1 60000PCS 现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP318SH6327XTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT223 开关类型 通用 输出数 1 比率 - 输入:输出 1：1 输出配置 低端 输出类型 N 通道 接口 逻辑 电压 - 负载 10V 电压 - 供电 (Vcc/Vdd) 不需要 电流 - 输出（最大值） - 导通电阻（典型值）700 毫欧 输入类型 非反相 特性 压摆率受控型
TDK 为栅极驱动器应用提供紧凑型 B78541A InsuGate 系列 SMT 变压器，EPCOS-TDK Electronics 的 B78541A InsuGate 系列 SMT 变压器图片TDK Electronics 推出了 EPCOS InsuGate 系列 (B78541A)。这些具有高工作电压的紧凑型 SMT 变压器适用于电动汽车（根据 AEC-Q200 和 AQG 振动曲线进行认证）和工业电子领域的 IGBT 和 MOSFET 的栅极驱动器应用。具有锰锌铁氧体磁芯的组件设计用于 100
Microchip PIC32CM LE系列具有智能模拟和触摸集成功能，适用于功率受限的嵌入式系统 ，Microchip PIC32CM LE系列超低功耗Cortex-M23微控制器图片Microchip PIC32CM LE系列是基于Arm®Cortex-M23内核的32位微控制器系列，专为超低功耗操作而设计，具有集成模拟和电容式触摸功能。这些MCU针对电池供电和空间受限的应用进行了优化，提供了先进的功能，如SleepWalking外围设备、多种低功耗模式和具有动态切换的内置降压/LDO稳压器。
RLM102-201M 是一款由深圳瑞隆源电子有限公司（Shenzhen Ruilongyuan Electronics Co., Ltd.）生产的玻璃放电管（SPG）。，封装规格：采用 SMT（表面贴装技术），封装尺寸为 Φ2.80 x 5.00mm，高度为 2.80mm，封装类型为 SPG_D2.8X5MM_SM。 电气参数：击穿电压为 200V，精度为 ±20%；脉冲放电电流（8/20μs）为 1000A；绝缘电阻为 100MΩ；静电容为 1pF。 工作条件：工作温度范围为 - 40℃至 + 8
TLE4264GHTSA1 电源管理（PMIC）稳压器 - 线性，产品属性类型 描述全选 类别集成电路（IC） 电源管理（PMIC）稳压器 - 线性 制造商Infineon Technologies 系列OPTIREG™ 包装卷带（TR） 剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 零件状态停产 输出配置正 输出类型固定 稳压器数1 电压 - 输入（最大值）45V 电压 - 输出（最小值/固定）5V 电压 - 输出（最大值）- 电压降（最大值）0.5V @ 100mA
LTC6902IMS#TRPBF 是一款由 Linear Technology（现已被 Analog Devices 收购）生产的精密、低功耗且易于使用的多相振荡器芯片。，基本信息 制造商：Linear Technology（凌力尔特） 产品型号：LTC6902IMS#TRPBF 封装形式：MSOP-10 符合标准：RoHS compliant（符合欧盟 RoHS 标准），Lead Free（无铅） 功能特点 多相输出：提供 2 相、3 相或 4 相输出。 扩频频率调制：具有可选的扩频频率调
2EDN7533RXTMA1 ， 产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: 栅极驱动器 RoHS: 产品: MOSFET Gate Drivers 类型: Low-Side 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSSOP-8 激励器数量: 2 Driver 输出端数量: 2 Output 输出电流: 5 A 电源电压-最小: 4.5 V 电源电压-最大: 20 V 配置: Inverting 上升时间: 8.6
BSP716NH6327XTSA1 60000PCS现货供应 欢迎来电咨询，型号 BSP716NH6327XTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT-223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）75 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 160 毫欧 @ 2.3A，10V 不同 Id 时
Cosel电源模块设计紧凑，效率高，适用于通用输入应用，Cosel SNTUNS50F是一款50 W AC/DC电源模块，提供85 VAC至264 VAC的通用输入范围和内置功率因数校正（PFC）。该模块集成了涌流限制、过电流（OCP）、过电压（OVP）和热保护，以确保在各种输入条件下稳健可靠地运行。SNTUNS50F的典型效率高达84%，低轮廓高度为36毫米，针对空间受限的设计进行了优化。它提供5 V/10 A、12 V/4.2 A或24 V/2.1 A的隔离、稳压单输出，符合国际安全和噪声标准，包括U
恩XPMCU专为开发人员创建高度可靠和安全的IIoT应用程序而设计 恩XP MCX E31微控制器（MCU）专为开发人员创建高度可靠和安全的工业物联网（IIoT）应用而设计。这款MCU是MCX E24的升级版，在一个功能强大的封装中提供了功能安全、增强的性能和强大的安全性。它是工厂自动化、暖，特性 增强的性能和内存：MCX E31具有运行频率高达160 MHz的Arm®Cortex®-M7内核，这是一次重大升级，可用于更复杂和要求更高的应用。它配备了扩展内存，提供高达4 MB的闪存和512 kB的SRA
2EDN7524RXUMA1，2EDN7524RXUMA1 是英飞凌（Infineon）推出的一款双通道、高速低侧MOSFET驱动芯片，属于2EDN7524系列。它主要用于高效电源系统、马达控制和各种需要高速开关的工业应用。下面归纳该芯片的主要应用功能与参数： 应用功能 双通道独立驱动 该芯片支持同时或分别驱动两颗MOSFET，适用于同步整流、半桥、全桥等复杂拓扑结构。在实际工程中，可以为电源主开关或者同步MOS管提供可靠的高速驱动。 高速开关响应 芯片具有极短的传播延迟和快速的上升/下降时间，
NTMFS5C442NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C442NLT1G 供货情况 NTMFS5C442NLT1G 产品购买 NTMFS5C442NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 1
NTMFS5C442NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C442NT1G 供货情况 NTMFS5C442NT1G 产品购买 NTMFS5C442NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 140 A
BSP316PL6327HTSA1 60000PCS ，型号 BSP316PL6327HTSA1 品牌 Infineon/英飞凌 封装 SOT223 FET 类型 N 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 400mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）4 欧姆 @ 400mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值
NTMFS5C430NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C430NLT1G 供货情况 NTMFS5C430NLT1G 产品购买 NTMFS5C430NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流:
NTMFS5C430NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C430NT1G 供货情况 NTMFS5C430NT1G 产品购买 NTMFS5C430NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 185
NTMFS5C406NLT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C406NLT1G 供货情况 NTMFS5C406NLT1G 产品购买 NTMFS5C406NLT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: DFN-5 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 362
NTMFS5C426NT1G，更多详情参数或规格书请联系 NTMFS5C426NT1G 供货情况 NTMFS5C426NT1G 产品购买 NTMFS5C426NT1G 中文资料-数据手册-PDF资料 制造商: onsemi 产品种类: MOSFET 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SO-8FL-4 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 40 V Id-连续漏极电流: 235 A
LM317MKVURG3 TI(德州仪器) TO-252，LM317MKVURG3 品牌： TI(德州仪器) 封装： TO-252 工作电压：40V 工作电流：500mA 通道数：1 类目：线性稳压器(LDO)
DS90UB981RTDRQ1 是德州仪器（TI）推出的一款高性能FPD-Link IV 串行器，专为汽车电子领域设计，核心功能是实现高清视频、控制信号与电源的高效传输，尤其适配高级驾驶辅助系统（ADAS）及车载显示场景，一、核心功能与技术特性 作为 TI FPD-Link IV 家族的关键型号，其核心优势在于高速数据集成传输与汽车级可靠性，具体特性如下： 多信号同步传输 支持视频、控制信号、电源三合一传输：正向通道可传输高清视频（如摄像头图像），反向通道支持 I²C/UART 控制信号，同时可通过
