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MTA18ASF2G72PZ-2G9E1，制造商IC编号 MTA18ASF2G72PZ-2G9E1 厂牌 MICRON/美光 IC 类别 DDR4 RDIMM IC代码 16GB DDR4 RDIMM 产品详情 脚位/封装 16GB/2666 外包装 无铅/环保 无铅/环保 电压(伏) 1.2V 温度规格 速度 2933(MT/s) 标准包装数量 标准外箱 潜在应用 ---------------------------------------------------
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M471A2K43CB1-CRC，制造商IC编号 M471A2K43CB1-CRC 厂牌 SAMSUNG/三星 IC 类别 DDR4 SO-DIMM IC代码 16GB DDR4 SO 产品详情 脚位/封装 FBGA 外包装 无铅/环保 无铅/环保 电压(伏) 温度规格 0°C~+85°C 速度 PC2400 标准包装数量 75 标准外箱 潜在应用 Number Of Words 2G (for 8Gb) Bit Organization x8 Density 16
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M471A1K43CB1-CTD，制造商IC编号 M471A1K43CB1-CTD 厂牌 SAMSUNG/三星 IC 类别 DDR4 SO-DIMM IC代码 8GB DDR4 SO 产品详情 脚位/封装 FBGA 外包装 无铅/环保 无铅/环保 电压(伏) 1.2V 温度规格 0°C~+85°C 速度 2666(MT/S) 标准包装数量 标准外箱 潜在应用 Number Of Words 1G (for 8Gb) Bit Organization x8 Densi
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Littelfuse增强模式碳化硅MOSFET:LSIC1MO120E0080深圳市光华微科技有限公司，据麦姆斯咨询报道，2017年10月，全球电路保护领域的领先企业Littelfuse推出了首个碳化硅（SiC）MOSFET产品系列：LSIC1MO120E0080，成为该公司不断扩充的功率半导体产品组合中的最新系列。Littelfuse在2017年3月投资享有盛誉的碳化硅技术开发公司Monolith Semiconductor公司，向成为功率半导体行业的领军企业再迈出坚定一步。 LSIC1MO120
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ISO7220ADR，技术：容性耦合 类型：通用 隔离式电源：无 通道数：2 输入 - 输入侧 1/输入侧 2：2/0 通道类型：单向 电压 - 隔离：2500Vrms 共模瞬态抗扰度（最小值）：25kV/μs 数据速率：1Mbps 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）：475ns，475ns 脉宽失真（最大）：14ns 上升/下降时间（典型值）：1ns，1ns 电压 - 电源：3 V ~ 5.5 V 工作温度：-40°C ~ 125°C
