IRLML6402TRPBF，IRLML6402TRPBF INFINEON MOSFET，P CH，-20V，-3.7A，SOT-23 IRLML6402TRPBF产品详细规格 安装类型 表面贴装 晶体管材料 Si 类别 功率 MOSFET 长度 3.04mm 典型输入电容值@Vds 633 pF@ 10 V 系列 HEXFET 通道模式 增强 高度 1.02mm 每片芯片元件数目 1 最大漏源电阻值 65 mΩ 最大栅阈值电压 1.2V Board Level Compo
，EEVHA1A101WP，EEV-HA1C100R，EEVHA1C220W，，EEVHA1A101WP，EEV-HA1C100R，EEVHA1C220WR，EEV-HA1C470P，EEVHA1C471UP，EEV-HA1E220P，EEVHA1E330P，EEV-HA1E470WP，EEVHA1H100P，EEV-HA1H221P，EEVHA1J470UP，EEV-HA1J470UP，EEVHA1V221UP，EEV-HA1V330P，EEVHA2A100P，EEV-HA2A100P，EEVHB0G2
，ELJ-RE2N7DF2，ELJ-RE3N3DF2，ELJRE47NJF，，ELJ-RE2N7DF2，ELJ-RE3N3DF2，ELJRE47NJF2，ELJ-RE47NJF2，ELJRE5N6JF2，ELJ-RE5N6JF2，ELJRE68NJF3，ELJ-RE68NJF3，ELJ-RE82NJF3，ELJRER10JF3，ELJ-RER10JF3，ELJRER22GFA，ELJ-RER22GFA，ELJ-RF10NJF2，ELJRF12NJF，ELJ-RF18NJF2，ELJRF1N2DF，ELJ-
，EN12-HN22AF23，EN12-HS11AF25，EN12-HS22AF25，，EN12-HN22AF23，EN12-HS11AF25，EN12-HS22AF25，EN12-VS20A18，EN12-VS22AF18，EN16-H20AF15，EN16-V22AF15，EN2267-008A030P，EN2T，EN80C196NT，ENC-03J，ENFVH1H3664，ENF-VH1H3G64，ENH-10-6.05-1％，ENH-25-53.6-1，ENH-50-51-1，ENN-5-2-1B
，EEFFD0J330R，EEF-SE0D471R，EEFSL0D151R，，，EEFFD0J330R，EEF-SE0D471R，EEFSL0D151R，EEF-SX0D221YR，EEFUD0D181R，EEF-UD0G151R，EEFUD0J101R，EEF-UD0K680R，EEFUE0D271R，EEF-UE0G221R，EEFUE0J151ER，EEF-UE0J181R，EEFUE0J221R，EEF-WA1D470P，EEG.1B.305.CLV，EEG-AA1E473FGE，EEJ-L0JC
焕盛达-专注原装 用芯服务。我们承诺：每一片芯片都来自原厂及授权渠道；，数据型号 ADP5052ACPZ-R7 数据列表 带四通道降压调节器和200 mA LDO调节器的5通道集成式电源解决方案 标准包装 750 包装 标准卷带 零件状态 有源 类别 集成电路IC 产品族 PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式 其它名称 ADP5052ACPZ-R7TR 拓扑 降压同步（4），线性（LDO）（1） 输出数 5 频率 - 开关 740kHz 电压/电
焕盛达-专注原装 用芯服务。我们承诺：每一片芯片都来自原厂及授权渠道；，数据列表 LTC5596 标准包装 500 包装 标准卷带 零件状态 有源 类别 RF/IF 和 RFID 产品族 射频检测器 其它名称 LTC5596IDC#TRMPBFTR 频率 100MHz ~ 40GHz RF 类型 手机，WLAN 输入范围 -40.8dBm ~ 6.3dBm 精度 ±1dB 电压 - 电源 3.3V 电流 - 电源 30mA 安装类型 表面
LT1819 是单通道/双通道、宽带宽、高转换速率、低噪声和低失真运算放大器，具有卓越的 DC 性能。，LT1819进口原装正品，尽在-宇集芯电子 LT1819CMS8#PBF LT1819CMS8#TRPBF LT1819CS8#PBF LT1819CS8#TRPBF LT1819IMS8#PBF LT1819IMS8#TRPBF LT1819IS8#PBF LT1819IS8#TRPBF LT1819 是单通道/双通道、宽带宽、高转换速率、低噪声和低失真运算放大器，具有卓越的 DC
SI2307CDS-T1-GE3，SI2307CDS-T1-GE3 Single P-Channel 30 V 88 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3 标准包装 3，000 FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide FET特点 Standard 漏极至源极电压（VDSS） 30V 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.5A Rds（最大）@ ID，VGS 88 mOhm @ 3.5A， 10V VG
SI2302CDS-T1-GE3，SI2302CDS-T1-GE3 20V 710mW SOT-23-3 Power MOSFET SI2302CDS-T1-GE3产品详细规格 标准包装 3，000 FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide FET特点 Logic Level Gate 漏极至源极电压（VDSS） 20V 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.6A Rds（最大）@ ID，VGS 57 mOhm @ 3.6A， 4.5V VGS（TH
SI2304DDS-T1-GE3，SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A 3-Pin SOT-23 SI2304DDS-T1-GE3产品详细规格 标准包装 3，000 FET 型 MOSFET N-Channel， Metal Oxide FET特点 Logic Level Gate 漏极至源极电压（VDSS） 30V 电流-连续漏极（编号）@ 25°C 3.3A Rds（最大）@ ID，VGS 60 mOhm @ 3.2A， 10V VGS（
，HYB5118165BSJ-6，HYB514171BJ-6，HYB51，，HYB5118165BSJ-6，HYB514171BJ-6，HYB514175BJ-6，HYB514256BJ-50，HYB514265J-50，HYB514405BJ-45，HYC3N2560NO00AA5CA，HYM322000S-60，HYM532414BM-60，HYM71V16635AT8R-H，HYM72V32M636T6-H，HYMD132645A8-H，HYMD232646B8R-D43 WD，HYMD512M64
，HM28128BLFPI-10，HM28-20003，HM28-24008，，HM28128BLFPI-10，HM28-20003，HM28-24008，HM28-24012，HM28-24016，HM28-25027，HM28-25031，HM28-32019，HM28-32023，HM28-35036，HM28-35039，HM28-42051，HM28-42055，HM2H71P130，HM2P70PDE121N9，HM2R10PA5100L9，HM2R30PACAJ0N9，HM2S30PE510
HSM107STL，HSM30-A8/001，HSM526，，HSM107STL，HSM30-A8/001，HSM526-64.000MHZ，HSM536-50.0000，HSM590J，HSM927B25.000，HSM93-50.00MHZ，HSMA-C110，HSMA-H670，HSMBJSAC5.0，HSMC-C197，HSMCL640，HSMD-C650，HSMF-A301-A00J1，HSMF-C156，HSMF-C655，HSMG-C120，HSMG-C191，HSMG-C670，HSMH-
，HW-10-08-G-D-365-SM，HW25335001，HW2C15，，HW-10-08-G-D-365-SM，HW25335001，HW2C155J，HWL34YRA，HX10-P，HX1148T，HX150TN，HX2SA-4.5V，HX5008NL，HXOF-1H-29.000MHZ，HXOH-5-43.7552MHZ，HXTR-5104TXV，HXTR-7111TXV，HY120，HY-120，HY1435，HY-150，HY27UF082G2MTPCB，HY27UH088G5MTPCB，
，NH-25-1.8OHM-1％，NH-25-1-3％，NH-25-19.6-.1，，，NH-25-1.8OHM-1％，NH-25-1-3％，NH-25-19.6-.1，NH-25-2-1，NH-25-3-1％，NH-25-49.9-1，NH-25-70-1，NH-5-.162-1，NH-5-.499-1，NH-50-.2-1，NH-50-1.1OHM-3％，NH-50-10-1，NH-50-10OHM-1％，NH-50-1-1，NH-50-15OHM-1％，NH-50-1OHM-1％，NH-50-2.6
，LW50，LWM673-Q1R2-5K8L，LWN1601-6K，，LW50，LWM673-Q1R2-5K8L，LWN1601-6K，LWR1601-6E，LWS-294-24，LWT676-N1-2-0-10，LWT676-N2-2-0-10，LWW5SG-GZ-6L-0-35，LX1562IDM，LX1660CD，LX1676CLQ，LX1684CD，LX1689CPWT，LX1732CDU，LX1744CLQ，LX1972IBC-TR，LX1995-1CSE，LX25VB101M，LX5107CP
，N10226-52B2PC，N106，N112A，，，N10226-52B2PC，N106，N112A，N1176CM，N-11M，N1333-32.0000MHZ，N150015-60，N1613，N1A-.04-1，N1A-2W-27K-5，N1A-3W-2.7-5，N1A-68-5，N2012Z601T02，N2510-6002-RB，N2516-6002RB，N2520-6002RB，N2526-7002UG，N2540-6002-RB，N-259MG，N27C010-120V10，N27C25
，NDP900，NDS332P，NDTD2412，，，NDP900，NDS332P，NDTD2412，NDTM106K35F1TR，NDTX016K105，NDY2412，NE02112-CX，NE02135(C)，NE124K，NE18-5.2019MHZ，NE1X1WH6，NE25139-U72，NE25-9.675MHZ，NE28C64-200，NE-2HT，NE33284A-T1，NE3509M04-T2-A，NE42484C-T1，NE5020N，NE51B1A，NE-51HR，NE531H，N
LT1180AISW#PBF，LT1180AISW#PBF的详细信息： 型号：LT1180AISW#PBF 厂商： Linear Technology 凌特 标准：ROHS 分类：集成电路 ， 接口 - 驱动器，接收器，收发器 标准包装:40 包装:管 类型:收发器 双工:完全 接收机滞后:400mv 数据速率:250kbd 电压-电源:4.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40℃~ 85℃ 安装方式:表面安装 包装
TIP115，TIP115的详细信息： 型号： TIP115 厂商： STMicroelectronics 意法半导体 标准： ROHS 分类： 半导体 ， 分离式半导体 制造商:意法半导体 产品类别:晶体管达灵顿 RoHS:是的 品牌:意法半导体 配置:单 晶体管极性:pnp型 集电极-发射极电压vcemax: 60v 发射极-基极电压VEBO: 5v 集电极基极电压VCBO: 60v 最大直流集电极电流:2a
LTC1646CGN#PBF，LTC1646CGN#PBF的详细信息： 型号：LTC1646CGN#PBF 厂商： Linear Technology 凌特 标准： ROHS 分类：集成电路 ， PMIC - 热插拔控制器 厂商：LINEAR/凌特 标准包装:100 类别:集成电路(ICs)--pmic -热交换控制器 包装:管 类型:热交换控制器 频道数量:2个 内部开关(s):没有 应用程序:compactpci? 特点:
Integer-N PLL Dual 500MHz to 3000MHz/50MHz to 300MHz 44-Pin CQFJ Tray - Bulk (Alt: PE9702-11) RoHS:，Integer-N PLL Dual 500MHz to 3000MHz/50MHz to 300MHz 44-Pin CQFJ Tray - Bulk (Alt: PE9702-11) RoHS:AMD 周四证实了下一代锐龙（Ryzen）系列台式处理器将采用 Zen 3 架构，且其能够与 X570 和
FZ1200R12KF4 //FZ2400R12KF4// FZ1800R12KF4，BSM200GA170DN2S_E3256 BSM200GA170DLC BSM200GA170DN2 BSM300GA170DLC BSM300GA170DN2 BSM300GA170DN2S BSM300GA170DN2S_E3256 BSM400GA170DN2S_E3256 BSM400GA170DN2S BSM400GA170DN2 BSM400GA170DLC FZ3600R17HP4
BSM200GA120DL //BSM300GA120DL //BSM400GA120DL，BSM200GA120DN2 BSM300GA120DN2 BSM400GA120DN2 BSM200GA120DL BSM300GA120DL BSM400GA120DL BSM200GA120DN2S BSM300GA120DN2S BSM400GA120DN2S BSM200GA120DN2SE3256 BSM300GA120DN2SE3256 BSM400GA120DN2SE3256
