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    LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率,Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能,适用于开关模式电源转换器,可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG3522R050集成了一个硅驱动器,可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比,TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装

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