TPS51200DR
TPS51200DR，TPS51200DR 制造商 Texas Instruments 制造商产品编号 TPS51200DRCT 供应商 Texas Instruments 描述 IC REG CONV DDR 1OUT 10VSON 详细描述 series 转换器，DDR 稳压器 IC 1 输出 10-VSON（3x3 产品属性 类型 描述 选择 类别 集成电路（IC） PMIC - 稳压器 - 特殊用途 制造商 Texas Instruments 系列 -
0451350410
0451350410，0451350410 类别 电缆组件矩形电缆组件 制造商 Molex 系列 Mini-Fit Jr 45135 包装 袋 零件状态 在售 连接器类型 插口至插口 针位数 4 排数 2 间距 - 连接器 0.165（4.19mm） 间距 - 电缆 - 长度 3.28（1.00m） 特性 销锁 颜色 多股，单股 屏蔽 - 应用 - 电缆端接 压接 触头表面处理 锡 触头表面处理厚度 3
0151340203
0151340203，0151340203 类别 电缆组件矩形电缆组件 制造商 Molex 系列 PicoBlade 15134 包装 袋 零件状态 在售 连接器类型 插口至插口 针位数 2 排数 1 间距 - 连接器 0.049（1.25mm） 间距 - 电缆 - 长度 0.984（300.00mm，11.81） 特性 摩擦锁 颜色 黑色，单股 屏蔽 无屏蔽 应用 - 电缆端接 压接 触头表面处理 锡
ADM1278-1BCPZ
ADM1278-1BCPZ，ADM1278-1BCPZ_GRM155R61A474KE15导读 2019年4月，德州仪器发布了这座300mm晶圆厂的兴建计划，预计投资31 亿美元。不过，鉴于2019年低迷的半导体市场，以及不甚理想的营收状况，TI在Richardson 投资建设300mm晶圆厂计划并不如当初预想的那样顺利，可能要推迟两年才能完成。 具体如下图所示。。据IC Insights统计，在过去的10年中(2009-2018年)，全11球半导体制造商总共关闭或重建了97座晶圆厂。其中，关
TPS62172DSGR
TPS62172DSGR，TPS62172DSGR 电源IC_BLM15AX300SN1D导读 德州仪器公司（TI）（Nasdaq: TXN）于近日宣布与美光科技达成协议，将以9亿美元的价格收购后者位于犹他州Lehi的300mm晶圆厂。。 TI董事长、总裁兼首席执行官Rich Templeton表示：“作为我们长期产能计划的一部分，此项投资将进一步增强我们在制造和技术方面的竞争优势。”。 TPS62172DSGR 电源IC_BLM15AX300SN1D SN74HC
TPS7B7702QPWPRQ1
TPS7B7702QPWPRQ1，TPS7B7702QPWPRQ1_BLM15AG700SN1D导读 TI董事长、总裁兼首席执行官Rich Templeton表示：“作为我们长期产能计划的一部分，此项投资将进一步增强我们在制造和技术方面的竞争优势。”。 。然而，分析人士认为，英特尔业绩增长的原因是已经结束的第二季度表现强劲，并表示2021年较后一个季度将表现疲软。 TPS7B7702QPWPRQ1_BLM15AG700SN1D 74HCT4053PW 其他被动元件
R7F0C004M2DFB
R7F0C004M2DFB，R7F0C004M2DFB 概述 MCU微控制单元 RL78系列16位，RL78，LQFP-80 R7F 微控制器系列是 8 位单芯片，具有闪存 ROM 和 RAM 容量。 最短指令执行时间可从高速更换至低速 ROM - 1 KB/2 KB RAM - 128 字节/256 字节 高速片上振荡器 8 个 I/O 端口 RL78系列 软件 ?引脚功能 ?内部块功能 ?中断 ?其他片上外设功能 ?电气规格 ?CPU功能 ? 指令系统 ?每条
OPA1692双路双极输入音频运算放大器
OPA169x 运算放大器将低功耗放大器的性能提高到一个新的层次，实现了 4.2nV/√Hz 的低噪声密度和 –127dB (1kHz) 的低失真。该运算放大器在 2kΩ 负载下还提供 200mV 电源轨范围内的轨至轨输出摆幅，从而增加余量并实现动态范围最大化。这些器件有 ±50mA 的高输出驱动能力。，OPA1692双路双极输入音频运算放大器 保证进口原装，现货，订货交期短，价格优势，放心品质，首选-宇集芯电子 1 特性 低噪声：1kHz 时为 4.2nV/√Hz 低失真：1kHz 时为 –1
OPA192-Q1精密运算放大器
OPAx192-Q1系列（OPA192-Q1和OPA2192-Q1）是新一代36-V电子微调运算放大器。OPAx192-Q1系列运算放大器使用e-trim?, 在塑料成型工艺后的最后制造步骤中实施的用于偏移和偏移温度漂移的封装级微调方法。这种方法最大限度地减少了固有的输入晶体管失配的影响，以及封装成型过程，OPA192-Q1精密运算放大器 保证进口原装，现货，订货交期短，价格优势，放心品质，首选-宇集芯电子 1特点 适合汽车应用 AEC-Q100合格，结果如下： 设备温度等级1:-40°C至
UCC28881DR
UCC28881DR，UCC28881DR 其他被动元件_BLM15AX121SN1J导读 。然而，分析人士认为，英特尔业绩增长的原因是已经结束的第二季度表现强劲，并表示2021年较后一个季度将表现疲软。 2019年4月，德州仪器发布了这座300mm晶圆厂的兴建计划，预计投资31 亿美元。不过，鉴于2019年低迷的半导体市场，以及不甚理想的营收状况，TI在Richardson 投资建设300mm晶圆厂计划并不如当初预想的那样顺利，可能要推迟两年才能完成。 UCC28881DR 其
LM3150MHX/NOPB
LM3150MHX/NOPB，LM3150MHX/NOPB_SN74CB3Q3257DBQR导读 TI董事长、总裁兼shou xi执行官Rich Templeton表示：“作为我们长期产能计划的一部分，此项投资将进一步增强我们在制造和技术方面的竞争优势。”。 德州仪器公司（TI）（Nasdaq: TXN）于近日宣布与美光科技达成协议，将以9亿美元的价格收购后者位于犹他州Lehi的300mm晶圆厂。。 LM3150MHX/NOPB_SN74CB3Q3257DBQR
TPA3118D2DAPR
TPA3118D2DAPR，TPA3118D2DAPR_PCM1754DBQR导读 据悉，瑞萨预计将会在2020年或2021年再关闭两座150mm晶圆厂。以瑞萨为例，该公司较近关闭的两座晶圆厂都是150mm的，包括位于日本高知县的一家工厂，该工厂主要生产模拟、逻辑器件以及一些型号陈旧的微型元器件。而从地区来看，日本关闭的晶圆厂数量较多。此外，瑞萨还将位于日本滋贺县大津的工厂调整为生产光电器件。 。然而，分析人士认为，英特尔业绩增长的原因是已经结束的第二季度表现强劲，并表示2021年较后一个季度
NCE0125AK
NCE0125AK，NCE0125AK_NCEP078N10AK导读 作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。 NCE新洁能是一家专业从事半导体功率器件的研发与销售公司，凭借低损耗、高可靠性品质，已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域。产品包含不同功率和不同电压等级的MOSFET。 NCE0125AK_NCE
AMC1200BDWVR
AMC1200BDWVR，AMC1200BDWVR 制造商 Texas Instruments 制造商产品编号 AMC1200BDWVR 供应商 Texas Instruments 描述 IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SOIC 详细描述 隔离 放大器 电路 差分 8-SOIC 产品属性 类型 描述 选择 类别 集成电路（IC） 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 制造商 Texas Instruments 系列
NCE0102M
NCE0102M，NCE0102M_NCEP095N10AK导读 NCE80H12此类MOS管在电动车正常运转时把电池里的直流电转换为交流电，从而带动电机运转。 它们的各种开关动作几乎是一致，当然烧坏时，肯定有先承受不了的小管先坏。所以管子的稳定性和制造工艺密不可分，差的工艺可能导致这些小管的参数不那么一致。 NCE0102M_NCEP095N10AK NCE20P45Q NCEB301G NCE3065G NCE30H14K NCE3095K NCE3065Q
IS43DR86400E-25DBL
IS43DR86400E-25DBL，IS43DR86400E-25DBL ASM330LHH TJA1051T/1 ISL9237HRZ-T XC6SLX75-2FGG484I XC6223D181MR-G XC95108-20TQ100I XC6SLX16-3CSG225I CY7C433-20AXC XC6SLX45-2FGG484I LXCRP1C1BL1N LXCRN1C1CL1N XCR3512XL-12PQ208I X
毅创辉电子供应 BTS3410G
www.icqjd.com，制造商: Infineon 产品种类: 电源开关 IC - 配电 RoHS: 详细信息 类型: Low Side 输出端数量: 2 Output 输出电流: 1.3 A 电流限制: 7.5 A 导通电阻—最大值: 200 mOhms 运行时间—最大值: 100 us 空闲时间—最大值: 100 us 工作电源电压: 1.3 V to 2.2 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD
毅创辉电子供应 BSP613P H6327
www.icqjd.com，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-223-4 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 2.9 A Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:
毅创辉电子供应 BSS138N H6327
www.icqjd.com，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 330 mA Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:
毅创辉电子供应 BSS83P H6327
www.icqjd.com，制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-23-3 晶体管极性: P-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 330 mA Rds On-漏源导通电阻: 1.4 Ohms Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:
