DAC7512N/3K
DAC7512N/3K进口代理，制造商: Texas Instruments 产品种类: 数模转换器- DAC RoHS: 详细信息 系列: DAC7512 分辨率: 12 bit 采样比: 95 kS/s 通道数量: 1 Channel 稳定时间: 12 us 输出类型: Voltage Buffered 接口类型: 3-Wire, DSP, Microwire, QSPI, SPI 模拟电源电压: 2.7 V to 5.5 V 数字电源电压: 2.7 V
FS32K146UAT0VLLT
FS32K146UAT0VLLT进口代理，制造商: NXP 产品种类: ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列: S32K1xx 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: LQFP-100 核心: ARM Cortex M4F 程序存储器大小: 1 MB 数据总线宽度: 32 bit ADC分辨率: 12 bit 最大时钟频率: 112 MHz 输入/输出端数量: 89 I/O 数据 RAM 大小: 128 kB 工作电源电压: 2
LT1086IT#PBF
原装正品现货，制造商 Analog Devices Inc. 输出配置 正 输出类型 可调式 稳压器数 1 电压 - 输入（最大值） 25V 电压 - 输出（最小值/固定） 1.25V 电压 - 输出（最大值） 23.5V 电压降（最大值） 1.5V @ 1.5A 电流 - 输出 1.5A PSRR 75dB（120Hz） 保护功能 过流，超温 工作温度 -40°C ~ 125°C 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3
AD8656ARMZ 全新原装正品 现货
AD8656ARMZ，AD8656ARMZ 类别 集成电路（IC） 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 制造商 Analog Devices Inc. 系列 DigiTrim 包装 管件 零件状态 在售 放大器类型 CMOS 电路数 2 输出类型 满摆幅 压摆率 11V/μs 增益带宽积 28 MHz 电流 - 输入偏置 1 pA 电压 - 输入补偿 50 μV 电流 - 供电 3.7mA（x2 通道） 电流 - 输出/通道 2
AD8253ARMZ 全新原装正品 现货
AD8253ARMZ，AD8253ARMZ 类别 集成电路（IC） 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 制造商 Analog Devices Inc. 系列 iCMOS 包装 管件 零件状态 在售 放大器类型 仪表 电路数 1 输出类型 - 压摆率 20V/μs -3db 带宽 10 MHz 电流 - 输入偏置 5 nA 电压 - 输入补偿 150 μV 电流 - 供电 4.6mA 电流 - 输出/通道 37 mA 电压 -
STD45P4LLF6AG
原装正品现货，制造商 STMicroelectronics FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 15 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值
TPS92662QPHPRQ1 豪迈兴原装现货 假一罚十
TPS92662QPHPRQ1 豪迈兴原装现货 假一罚十， 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Texas Instruments 产品种类: LED照明驱动器 RoHS: 详细信息 系列: TPS92662-Q1 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: HTQFP-48 输出端数量: 12 Output 输入电压（最小值）: 4.5 V 输入电压（最大值）: 60 V 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 125 C 资格:
LM63625DQPWPRQ1 豪迈兴原装现货 假一罚十
LM63625DQPWPRQ1 豪迈兴原装现货 假一罚十 ，制造商: Texas Instruments 产品种类: 开关稳压器 RoHS: 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: HTSSOP-16 拓扑结构: Buck 输出电压: 1 V to 20 V 输出电流: 2.5 A 输出端数量: 1 Output 输入电压（最小值）: 3.5 V 输入电压（最大值）: 36 V 静态电流: 23 uA 开关频率: 250 kHz to
AD5664RBCPZ-3
AD5664RBCPZ-3,16 位数模转换器 4 10-LFCSP-WD.，AD5664RBCPZ-3,16 位数模转换器 4 10-LFCSP-WD. 位数 16 数模转换器数 4 建立时间 7μs 输出类型 Voltage - Buffered 差分输出 无 数据接口 SPI，DSP 参考类型 外部，内部 电压 - 供电，模拟 2.7V ~ 3.6V 电压 - 供电，数字 2.7V ~ 3.6V INL/DNL (LSB) ±8，±1（最大） 架构 电阻串
UPD78F9234MC-5A4-A
UPD78F9234MC-5A4-A,78K0S series 微控制器 IC 8 位 10MHz 8KB（8K x 8） 闪存.，UPD78F9234MC-5A4-A,78K0S series 微控制器 IC 8 位 10MHz 8KB（8K x 8） 闪存. 核心处理器 78K0S 内核规格 8 位 速度 10MHz 连接能力 LINbus，UART/USART 外设 LVD，POR，PWM，WDT I/O 数 24 程序存储容量 8KB（8K x 8） 程序存储器类型
AM26C31IDR
AM26C31IDR,驱动器 4/0 - 16-SOIC，AM26C31IDR,驱动器 4/0 - 16-SOIC 类型 驱动器 驱动器/接收器数 4/0 电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 16-SOIC ECE2WM220K21OTPO ECF1KM221K21OTPO ECG1HM681W20OTBO ECG2GM100G17OTB0 ECG1EM102G17OTBO ECF1KM331K2
AM26C31CDR
AM26C31CDR, 驱动器 4/0 SSOP16.，AM26C31CDR, 驱动器 4/0 SSOP16. 类型 驱动器 驱动器/接收器数 4/0 电压 - 供电 4.5V ~ 5.5V 工作温度 0°C ~ 70°C 安装类型 表面贴装型 封装/外壳 16-SOIC AP4580 AP2080K AP4606C AP9926 AP2055K AP15N10K AP2045K AP30H80K AP3010 AP30H100KA AP50N06K A
TAJE336K035RNJ
TAJE336K035RNJ，TAJE336K035RNJ_TAJE336K035RNJ导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 TAJE336K035RNJ_TAJE336K035RNJ TAJD227M010RNJ Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。 必要的时候可以在R4
TAJE336K025RNJ
TAJE336K025RNJ，TAJE336K025RNJ_TAJE336K025RNJ导读 而电动车上上用的功率mos是立体结构。我们所见的mos管，其实内部由成千上万个小mos管并联而成，大家可能会想成千上万个小mos应该很容易出现一个或几个坏的吧，其实真没那么容易，目前的制造工艺基本保证了这些小单位各种参数高度一致性。小功率mos是平面型结构。 TAJE336K025RNJ_TAJE336K025RNJ TAJA685K016RNJ TAJA226M010RNJ
TAJE227M016RNJ
TAJE227M016RNJ，TAJE227M016RNJ_TAJE227M016RNJ导读 。Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。 TAJE227M016RNJ_TAJE227M016RNJ TLJR336M010R3500 Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。 TPCS8205 TPCS82
TAJE227M010RNJ
TAJE227M010RNJ，TAJE227M010RNJ_TAJE227M010RNJ导读 这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。 TAJE227M010RNJ_TAJE227M010RNJ TAJB224K050RNJ BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI3
TAJE227M006RNJ
TAJE227M006RNJ，TAJE227M006RNJ_TAJE227M006RNJ导读 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。 TAJE227M006RNJ_TAJE227M006RNJ TAJA154K050RNJ 060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。 AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD
TAJE227K016RNJ
TAJE227K016RNJ，TAJE227K016RNJ_TAJE227K016RNJ导读 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。 TAJE227K016RNJ_TAJE227K016RNJ TAJD108K004RNJ 在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。 TPC
TAJE227K010RNJ
TAJE227K010RNJ，TAJE227K010RNJ_TAJE227K010RNJ导读 这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。 TAJE227K010RNJ_TAJE227K010RNJ TAJB105M035RNJ 057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
TAJE227K006RNJ
TAJE227K006RNJ，TAJE227K006RNJ_TAJE227K006RNJ导读 针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。 TAJE227K006RNJ_TAJE227K006RNJ TAJA225M006RNJ 必要的时候可以在R4上面并联加速电容。R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也
TAJE226K035RNJ
TAJE226K035RNJ，TAJE226K035RNJ_TAJE226K035RNJ导读 内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。 TAJE226K035RNJ_TAJE226K035RNJ TAJA156K006RNJ 必要的时候可以在R4上面并联加速电容。R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限
TAJE158M004RNJ
TAJE158M004RNJ，TAJE158M004RNJ_TAJE158M004RNJ导读 除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。 TAJE158M004RNJ_TAJE158M004RNJ TAJA335K025RNJ 。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而
STM32F103ZET6
STM32F103ZET6，类型描述选择? 类别 集成电路（IC）嵌入式 - 微控制器 制造商 STMicroelectronics 系列 STM32F1 包装 托盘 零件状态 在售 核心处理器 ARM? Cortex?-M3 内核规格 32 位单核 速度 72MHz 连接能力 CANbus，I2C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART，USB 外设 DMA，电机控制 PWM，PDR，POR，PVD，PWM，温度传感器，WDT I/O
BAT54CWT1G
BAT54CWT1G，BAT54CWT1G 类型描述选择? 类别 分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列 制造商 onsemi 系列 - 包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带 零件状态 在售 二极管配置 1 对共阴极 二极管类型 肖特基 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） 30 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管） 200mA（DC） 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 800 mV @ 100
