一，核心基础参数
供电与输出能力：该器件的工作电源电压范围为 10 - 20V，峰值输出电流达 290mA，能为 IGBT 和 MOSFET 的栅极提供稳定驱动电流。其功率耗散最大值为 625mW，可在低功耗状态下保障驱动过程的稳定。
开关与延迟特性：它的最大上升时间为 150ns、最大下降时间为 80ns，快速的开关速度可减少驱动过程中的能量损耗；最大开启延迟时间 1030ns，最大关闭延迟时间 300ns，传播延迟最大值 1.03μs，精准的延迟控制有助于提升电路控制精度。同时适配 CMOS、LSTTL 逻辑电平，且兼容 3.3V 低逻辑电平，典型低输入阈值电压 0.9V，典型高输入阈值电压 2.1V，适配多种控制芯片的信号输出。
环境适应范围：工作温度覆盖 - 40℃到 125℃，能应对工业场景中的高低温恶劣环境，适配不同地域和工况下的设备需求。
二，封装与物理特性：采用 8 引脚 DSO（小外形无引脚封装），封装尺寸为长度 4.9mm、宽度 3.9mm、高度 1.47mm，属于贴片安装类型，这种紧凑的封装设计可节省电路板空间，适合高密度布局的电力电子设备。工厂常规包装为卷带式，一盘数量为 2500 只，也支持截带、小鼠卷轴等包装形式供不同采购需求选择。
三，核心功能与优势：作为非反相型高侧和低侧独立半桥驱动器，它具备交叉导通预防逻辑，能避免上下桥臂器件同时导通造成的短路损坏，提升电路可靠性。此外该器件符合欧盟 RoHS 标准，当前处于活跃在售状态，可正常采购供货，能满足工业量产对元器件稳定性和合规性的要求。
四，适用场景：因适配 IGBT 和 MOSFET，且兼具高压适配性与紧凑尺寸，常用于开关电源、逆变器、电机驱动等电力电子设备中，为功率器件提供精准、高效的栅极驱动信号，保障设备的功率转换效率和运行稳定性。
