一，核心基础参数
电压与电流能力：VS 节点最高工作电压达 650V，浮置通道适配高压侧 N 沟道功率器件的驱动需求；典型拉 / 灌电流均为 2.5A，具备强劲的驱动能力。电源电压（VCC）适用范围为 10 - 20V，同时 VS 引脚逻辑在 - 11V 直流下仍可正常工作，输入侧还支持 - 5V 的负压容差。
时序特性：传播延迟为 200ns，典型导通时间 600ns、关断时间 200ns，通道间延迟匹配最大仅 35ns，能精准控制功率器件的开关时序，减少开关损耗。
二，核心性能优势
抗干扰与可靠性强：采用英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅（SOI）技术，不仅实现 100V 的负压瞬态抗扰度，还彻底消除了寄生晶闸管结构，在全温度和全电压工况下都能避免寄生闩锁问题，大幅提升工作稳定性。
完善的保护机制：集成击穿保护和内置死区时间功能，可有效防止功率器件出现桥臂直通故障；同时为高低侧通道配备独立欠压锁定功能，避免器件在供电异常时损坏。
适配性广：逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 电平，最低可适配 3.3V 逻辑信号，能轻松与各类控制器对接；输出级的大电流缓冲级设计，也能最大限度减少驱动交叉导通问题。
三，结构与应用相关
集成与封装：芯片集成超快速、低阻抗的自举二极管，无需额外外接，简化电路设计；采用 DSO - 8 封装形式，以卷盘式包装供货（每盘 2500 个），适配自动化贴片生产流程。
典型应用：凭借 650V 高压适配性和高速驱动特性，常应用于家电电机控制、工业电源、逆变器等场景，例如吊扇等家电的电机驱动回路，或是中小功率开关电源中的功率器件驱动环节。
