纳微半导体近日宣布，将与力积电携手推进8英寸硅基氮化镓（GaN）技术的量产合作。公告显示，力积电拥有成熟的180nm CMOS制程工艺，可通过更先进的工艺节点优化产品的性能、能效、集成度及成本等多方面表现。
据悉，纳微半导体将借助力积电为其100V到650V的氮化镓器件代工生产，以满足AI数据中心、电动汽车等新兴领域对高性能GaN技术的持续增长需求。首批来自力积电的器件预计将于今年第四季度完成认证，100V系列将于2026年上半年在力积电正式量产，650V产品则将在未来一至两年内，逐步自现有供应商台积电转向力积电。
此次战略调整，目的是更好地契合高端市场对于高效GaN产品的需求，进一步加快行业技术演进。纳微副总裁Sid Sundaresan博士强调，依托180nm工艺在8英寸晶圆上推进GaN制造，带来了功率密度、速度和效率的多重突破，同时提升了生产规模与成本控制能力。
值得注意的是，纳微此前的GaN产品生产一直交由台积电代工。近期，台积电宣布将于未来两年中逐步撤出GaN（氮化镓）市场，相关产线将在竹科工厂停产。台积电表示，正在与客户协作确保平稳过渡，并承诺在退出期间持续满足现有客户需求。
实际上，台积电此前对GaN业务持积极态度，并在2024年初的年报中提到，其第二代650V/100V E-HEMT技术已通过可靠性验证，原定2025年量产，并规划了8英寸GaN-on-Si工艺的发展，预计2026年投产。但根据最新战略布局，台积电正逐步剥离相对利润较低的GaN代工业务，将重心转向AI芯片等高算力领域。摩根士丹利分析称，到2026年，台积电CoWoS先进封装产能将较2025年再增33%，以满足NVIDIA等公司日益增长的AI芯片需求。预计到2025年，先进封装业务对台积电营收的贡献也将超过10%。
2024年，GaN市场虽然出现了一些波动，例如Wolfspeed宣布破产重组，以及台积电筹划淡出市场，但氮化镓依然被视为具备广阔发展前景的新一代半导体材料。
作为GaN领域的代表企业，纳微推出了包括双向GaNFast功率芯片、电机驱动专用GaNSense芯片等多项创新产品，广泛应用于AI数据中心、太阳能及电动汽车等行业。例如，其双向GaNFast芯片通过独特结构和专利技术获得了突破，可实现高功率密度与高能效；在AI数据中心，纳微的GaN与碳化硅器件助力NVIDIA超高压直流（HVDC）架构，覆盖1兆瓦以上IT机架；同时，其650V GaNFast芯片也已被Enphase太阳能解决方案采用，而GaNSafe技术则进入了商用车载充电机领域。
随着台积电逐步退出GaN市场，业内普遍认为，其氮化镓工艺与力积电高度兼容，纳微等厂商在转单过程中迁移成本相对较低。未来这一变动是否会进一步影响晶圆代工行业的格局，还有待接下来市场和技术的持续观察。
