FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170mA
驱动电压（Rds On，Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 3 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 2.4 nC @ 10 V
Vgs ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 27 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散 350mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 155°C（TJ）
等级 -
资质 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3
