FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 260mA（Ta）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 2.5 欧姆 @ 240mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) 0.81 nC @ 5 V
Vgs ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) 26.7 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散 300mW（Tj）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
等级 -
资质 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
