X-FAB推出全新嵌入式闪存与EEPROM组合IP，提升数据保持能力与运行可靠性
中国北京，2024年12月5日——全球领先的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（X-FAB）近日发布了一项非易失性存储（NVM）领域的创新技术。基于其成熟的高压BCD-on-SOI XT011平台（110nm工艺节点），X-FAB推出了一款全新的嵌入式存储IP，包含32kByte的闪存与4Kbit的EEPROM，并满足AEC-Q100 Grade-0标准要求。未来计划还包括推出更大容量的64kByte和128kByte闪存，以及更大存储空间的EEPROM，预计2025年面世。
这款创新IP通过将闪存与EEPROM元件集成在同一宏单元内，优化了控制电路的共享设计，大幅减少了芯片面积占用。同时，这一解决方案支持高达175°C的工作温度，为32kByte存储提供了全新行业标杆。
技术亮点与优势
高温数据访问与写入能力
闪存支持在-40°C至175°C范围内读取数据。
EEPROM支持在高达175°C的温度下写入数据，适用于频繁写入的应用场景。
在极端温度条件下，EEPROM可作为缓存使用，当温度恢复至125°C以下时再将数据写入闪存，从而提升整体耐用性与灵活性。
高可靠性与数据完整性
闪存采用8位ECC（错误检查与纠正），EEPROM采用14位ECC，确保零PPM误差性能。
出色的稳健性和持续的数据存储完整性，使其能够满足汽车、医疗和工业领域的严苛需求。
节省空间与优化设计
通过将闪存与EEPROM元件集成到单一宏单元内，显著减少了芯片面积占用。
专用电路设计支持更高效的存储访问与测试，缩短测试时间并降低相关成本。
设计灵活性与支持
提供64位总线接口，支持高逻辑密度应用开发。
可选BIST模块（内建自测试）和测试服务，进一步简化设计与验证流程。
应用场景与未来展望
X-FAB的这款嵌入式NVM IP专为需要高可靠性与高温稳定性的嵌入式系统设计而开发，适用于汽车电子、医疗设备及工业控制等领域。其创新的存储架构和高效的数据管理能力为智能传感器、执行器以及下一代嵌入式CPU系统（包括ARM、RISC-V及客户定制设计）提供了更广泛的功能支持。
“通过我们的专有SONOS技术，这款NVM IP为嵌入式系统实现了卓越的数据保持能力与温度稳定性，”X-FAB NVM开发总监Thomas Ramsch表示，“将闪存与EEPROM元件集成到单一宏单元的设计，使得这一解决方案能够应对极端工作条件，树立了行业新标杆。”
X-FAB NVM解决方案技术营销经理Nando Basile补充道：“凭借更小的芯片占用面积与更快的存储访问速度，这款NVM组合IP将在高逻辑密度应用中发挥关键作用，助力客户开发功能更强大的智能系统。”
术语解释
BCD：双极型晶体管-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体（Bipolar-CMOS-DMOS）
NVM：非易失性存储（Non-Volatile Memory）
BIST：内建自测试（Build-In Self-Test）
DFT：可测性设计（Design for Testability）
ECC：错误检查与纠正（Error Checking and Correcting）
EEPROM：电可擦可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）
PPM：百万分率（Parts Per Million）
SOI：绝缘体上硅（Silicon On Insulator）
SONOS：硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）
通过此次发布，X-FAB展示了其在非易失性存储领域的技术领导力，并为客户提供了更高效、更可靠的嵌入式存储解决方案。未来，X-FAB将继续推动嵌入式系统的创新发展，为各行业带来更多高性能产品。
