零件状态在售
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）5.2 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）135 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）5125 pF @ 15 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）5W（Ta），48W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PowerPAK® SO-8
封装/外壳PowerPAK® SO-8
基本产品编号SI7149
