技术MOSFET（金属氧化物）
配置2 N-通道（双）
FET 功能-
漏源电压（Vdss）40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）6.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）28.9nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1947pF @ 25V
功率 - 最大值64W
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
等级汽车级资质
AEC-Q101安装类型
表面贴装型封装/外壳SOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装LFPAK56D
基本产品编号BUK7K6
