零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)62A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）8.7 毫欧 @ 31A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.35V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1077 pF @ 15 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）65W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220AB
封装/外壳TO-220-3
基本产品编号IRLB8721
