PSMN2R0-55YLHX功率场效应管, MOSFET, N通道, 55 V, 200 A, 0.00163 ohm, LFPAK56E, 表面安装

通道类型: N通道

漏源电压, Vds: 55V

电流, Id 连续: 200A

漏源接通状态电阻: 0.00163ohm

晶体管封装类型: LFPAK56E

晶体管安装: 表面安装

Rds(on)测试电压: 10V

阈值栅源电压最大值: 1.62V

功率耗散: 333W

针脚数: 4Pins

工作温度最高值: 175°C

产品范围: NextPower-S3

合规: -

MSL: MSL 1 -无限制