根据市场调研机构Omdia的研究报告，随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。

Omdia在报告中指出，三星电子已将今年第二季度的平均每月DRAM晶圆投入量调升至60万片，环比增长13%；预计下半年将DRAM晶圆投入量增加至66万片，DRAM产量恢复到削减前的水平。SK海力士将把每月平均DRAM晶圆投入量从第一季度的39万片增加到第二季度的41万片；下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片。

同时，近来内存和存储产品纷纷涨价。在内存方面，据日本经济新闻近日报道，因中国客户接受存储芯片厂商的涨价要求，2024年1月指标性产品DDR4 8Gb批发价为每个1.85美元左右，环比上涨9%，4Gb产品价格为每个1.40美元左右，环比上涨8%，价格皆为连续第三个月扬升。

在存储产品方面，根据韩国媒体的报道，三星计划今年二季度将企业级SSD价格在一季度价格基础上上调20%-25%，原计划涨幅为15%左右，但由于需求“超预期激增”，这家存储巨头决定调高涨幅。

量价齐升，全球存储市场的新一轮周期开始了。

存储产品的周期性

作为大宗的半导体元器件，存储产品的周期效应是非常明显的，且受到三星、SK海力士和美光三大存储巨头的干预效果很明显。

存储产品的类型非常多，不过一般大家所谈的存储产品主要指DRAM存储器和Flash闪存芯片。根据WSTS数据统计，全球存储器市场规模占据半导体市场的23.17%。自2003年以来，除个别年份高于25%达到30%，这些年这一比例的变动范围基本在20%-25%。

由于占比很大，因此在半导体产业周期性中，存储产品属于波动幅度最大的一个细分类别。在上行周期顶部的时候，比如2010、2017年，全球存储产品销售额同比增长55%、61%，当然下行的时候存储产品也不含糊，曾在2019年遭遇了销售额同比下滑33%的情况。

因而，存储产品的波动性是非常明显的，总是处于上升或下降周期内。造成这种情况的原因在于，存储产品作为大宗半导体产品，需求量非常大，产品的标准化程度非常高，但是和市场用户之间的黏性却很低。换句话说，在存储市场，消费者实际上话语权是很弱的，基本是头部厂商靠产能调配来影响周期。

根据中原证券的统计，过去的二十几年里，存储产品的周期底部分别为2002年、2008年、 2011年、2015年、2019年和2023年，周期顶部分别为2004年、2010年、2014年、2017年和2021年。由此不难看出，当前我们正处于全球存储产品的上行周期内，预计下一个产业周期顶部将会在2025年出现。

那么，和以往周期里一样，存储厂商在上行周期内，不仅会大幅提升产品的产能，同时也会尽可能地提升价格，从而在整个上行周期中获取最大的利益。

量价齐升的背后

在CFMS|MemoryS 2024峰会上，深圳市闪存市场资讯有限公司总经理邰炜就曾预测，“今年存储市场开始重新回到正轨，存储价格呈平稳上升的趋势，再加上先进技术以及新兴市场的应用，存储行业正在从‘价格’走入‘价值’周期，我们预计今年市场规模将同比提升42%以上。”

在本轮价值周期里，这一波的存储产品量价齐升预计将创造一个很大的价值量增长。我们文章开篇已经提到了一些信息，我们再深入看一下。2023年上半年，三星和SK海力士等存储大厂承受了巨大的产业压力，由于产能利用率不足，三星电子负责芯片业务的设备解决方案（DS）部门出现了4.58万亿韩元（约合34亿美元）的大规模营业亏损，这是十几年来的首次。同样，SK海力士也是业绩承压，在2023年第一季度净亏损约2.59万亿韩元（约合19亿美元），该季度SK海力士经营亏损达3.40万亿韩元，创下公司单季经营亏损纪录。

在巨大的压力亏损压力下，三星、SK海力士和美光终于在2023年4月份开始对外宣布减产，随后减产规模逐月增加。到2023年7月，三星电子表示，考虑到存储芯片行业减产力度加大，预计存储芯片市场将逐渐走向稳定，而客户的库存调整可能会逐渐结束。随后，全球存储产业开始逐渐进入供不应求的阶段，价格开始走高。

上面提到，在这一轮周期中，DDR内存的涨势在10%左右。根据集邦咨询的报告，NAND闪存和SSD固态硬盘的涨势则更为迅猛。相关报告里的数据指出，2024年第一季度，全球NAND闪存市场估计涨价约23%-28％，其中3D闪存晶圆、消费级SSD、企业级SSD的涨幅均在23%-28％之间，eMMC/USF的涨幅则在25%-30%。报告预计，进入第二季度，全球闪存市场依然有13%-18％的涨价空间。

对于2024年，三星、SK海力士和美光均表达了乐观的态度。三星电子表示，2024全年存储业务将会继续复苏，消费电子设备单机存储容量增加、AI投资扩大、服务器需求逐渐复苏等是主要推动力。SK海力士则指出，该公司将专注于AI用存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，顺应高性能DRAM需求的增长趋势，同时将DDR5和LPDDR5等高性能、高容量产品应用到服务器和移动端市场。

因此，实际上新一轮存储产业周期也有一些不一样的地方，那就是背后的推动力将由传统的PC和智能手机，变为AI大模型。不仅是在训练端，同时AI大模型将反哺终端设备，塑造AI手机和AI PC等新式产品理念，带来高性能存储的需求。国开证券研报指出，随着各类AI延伸应用，DRAM及NANDFlash在智能手机、服务器、笔记本电脑等单机平均搭载容量均将显著增长。