晶體管極性: N-Channel
技術: Si
Id - C連續漏極電流: 9 A
Vds - 漏-源擊穿電壓: 65 V
Rds On - 漏-源電阻: -
操作頻率: 200 MHz
增益: 13 dB
輸出功率: 80 W
最低工作溫度: - 65 C
最高工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: 221-11-3
封裝: Tray
品牌: MACOM
配置: Single
Pd - 功率消耗 : 220 W
產品類型: RF MOSFET Transistors
