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制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 76 A

Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 100 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 22 ns

正向跨导 - 最小值: 79 S

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 18 ns

1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 56 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

宽度: 4.4 mm

单位重量: 2 g