NVC3S5A51PLZT1G是ON Semiconductor推出的一款N沟道MOSFET功率开关器件。以下是NVC3S5A51PLZT1G的主要特点和应用：
特点：
1. 低导通电阻：NVC3S5A51PLZT1G具有低导通电阻，能够减少功耗和热量产生，提高系统效率。
2. 高开关速度：NVC3S5A51PLZT1G具有快速的开关速度，能够实现高频率开关操作。
3. 低输入电容：NVC3S5A51PLZT1G具有低输入电容，能够减少输入电容充放电时间，提高开关效率。
4. 内置保护功能：NVC3S5A51PLZT1G内置了过温保护和短路保护等多种保护功能，能够保护电路和设备安全。
应用：
1. 电源管理：NVC3S5A51PLZT1G适用于电源管理应用，如DC-DC转换器、电池管理系统等。
2. 电机控制：NVC3S5A51PLZT1G可用于电机控制和驱动，如步进电机、直流电机等。
3. 照明控制：NVC3S5A51PLZT1G适用于LED照明控制，如LED驱动器、照明开关等。
4. 工业自动化：NVC3S5A51PLZT1G可用于工业自动化设备的控制和驱动，如PLC、工控机等。
NVC3S5A51PLZT1G是一款高性能的N沟道MOSFET功率开关器件，适用于各种需要高性能和高效能的电源管理和控制应用。
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: CPH-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 350 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.6 V
Qg-栅极电荷: 6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NVC3S5A51PLZ
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
产品类型: MOSFET
3000
子类别: MOSFETs
单位重量: 12.730 mg
