IRF540NSPBF是一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品，属于IRF540系列的型号。以下是关于IRF540NSPBF的一些基本说明：
1. 功能：IRF540NSPBF是一款功率MOSFET，适用于高速开关和功率放大器等应用。它具有低导通电阻、高开关速度和稳定的温度特性。
2. 最大电压和电流：IRF540NSPBF的最大漏极-源极电压为100V，最大漏极电流为33A，可以满足大部分应用的需求。
3. 封装类型：IRF540NSPBF采用TO-263封装，这是一种表面贴装封装，具有3个引脚。
4. 热阻：IRF540NSPBF的热阻通常为0.75℃/W，可以有效地降低芯片温度，提高可靠性。
5. 工作温度范围：IRF540NSPBF的工作温度范围通常为-55℃至175℃，适用于各种环境条件下的应用。
IRF540NSPBF可用于电源开关、电机驱动、照明控制、电子变换器等领域，提供高效、可靠的功率控制。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 44 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 47.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 35 ns
正向跨导 - 最小值: 21 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 39 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 9.25 mm
单位重量: 4 g
