FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 320mA（Ta）
驱动电压 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻 1.6 欧姆 @ 320mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th) 1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 0.7 nC @ 4.5 V
Vgs ±20V
不同 Vds 时输入电容 56 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散 260mW（Ta），830mW（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-323
