制造商:Texas Instruments产品种类:MOSFETRoHS:是技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:LSON-CLIP-8通道数量:2 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:30 VId-连续漏极电流:25 ARds On-漏源导通电阻:2.4 Ohms, 1.2 OhmsVgs th-栅源极阈值电压:1 V, 750 mVVgs - 栅极-源极电压:10 VQg-栅极电荷:5.7 nC, 10.7 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 CPd-功率耗散:6 W配置:Dual通道模式:Enhancement商标名:NexFET封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1.5 mm长度:3.3 mm系列:CSD87335Q3D晶体管类型:2 N-Channel宽度:3.3 mm商标:Texas Instruments正向跨导 - 最小值:59 S, 107 S下降时间:4 ns, 5 ns产品类型:MOSFET上升时间:29 ns, 27 ns工厂包装数量:2500子类别:MOSFETs典型关闭延迟时间:13 ns, 17 ns典型接通延迟时间:8 ns, 8 ns单位重量:67.100 mg
