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今日上新NX138BKR功率场效应管, MOSFET, 沟槽式, N通道

2023-8-13 9:00:00
  • 今日上新NX138BKR功率场效应管, MOSFET, 沟槽式, N通道

今日上新NX138BKR功率场效应管, MOSFET, 沟槽式, N通道

制造商: Nexperia

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 265 mA

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV

Qg-栅极电荷: 490 pC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 400 mW

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Nexperia

配置: Single

产品类型: MOSFET

3000

子类别: MOSFETs

零件号别名: 934070058215

单位重量: 8 mg