U74AHCT1G02G-SOT23.5R-TG_UTC代理商导读

超低启动电流（<5uA），超低静态电流（0.8mA）。具备欠压保护（UVP）、过压保护（OVP）， VCC 嵌位、过载保护（OLP）过温度保护（OTP）、过电流保护（OCP）。

由内部高压启动开关通过功率管Drain 提供起始电流对VCC 电容充电，当VCC 电压达到工作点（VCCon）20V 时，IC 开始工作，再由变压器辅助绕组线路对VCC 电容进行充电。

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UIC811G-SOT23.3R-B-3TG

不同功率半导体器件 ，其承受电压 、电流容量 、阻抗能力 、体积大小等特性也会不同 ，实际使用中 ， 需要根据不同领域 、不同需求来选用合适的器件。

（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron *_Qg等。

为了避免上述误动作发生，推荐VCC 电容尽量不要采用过低值，VCC电容值越大，待机功耗越低。客户不必担心VCC 电容偏高导致系统启动时间过长问题，因为IC 本身含有高压启动开关，具有大电流恒流充电特性。。

U74AHC595G-TSSOP16R-TG UT3419G-SC59.3R-TG U74LVC1G04G-SOT353R-TG UZ2085G-TO252R-AD-TG U74AUP1G07G-SOT353R-TG 。

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建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。

UT2302G-SC59.3R-TG UPC817DG-DIP4T-TG U74LV1T34G-SOT353R-TG U74LVC126AG-TSSOP14R-TG UT100N03L-TO220T-TG 。

78D05AG-TO252R-TG BSS127ZG-SOT23.3R-TG SB260G-SMAR-TW1M1G NE555G-SOP8R-TG 2SC2655L-TO92NLB-Y-TG 。

U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。

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UCS165XS 有一个VCC-G 脚位，其为driver 驱动上管的drain，通过在VCC-G 与VCC 脚位之间串接电阻RG，可以调节降低driver 上驱动能力，RGD 推荐范围：51~1000。只有极特殊的设计会使用到此功能，因此，通常情况下VCC-G 与VCC 是短接的。

并以最小频率工作。待机：FB 调整芯片工作在Burst mode 里，并控制CS 值。

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