2月3日，复旦大学宁波研究院重大产业化项目——清纯半导体研发基地举行启用仪式。

清纯半导体消息显示，清纯半导体研发基地总面积4600平米，建设四大实验平台：一楼建设器件性能测试平台、晶圆测试及老化平台；三楼建设可靠性及应用平台；四楼建设器件测试及老化平台。实验室总规划面积超2500平米，配备了国际领先的功率器件参数测试及可靠性设备，平台总投入近亿元，具备支撑月产近千万颗碳化硅器件的测试及筛选能力。

清纯半导体成立于2021年3月，是一家碳化硅功率器件设计和供应商。宁波前湾新区消息显示，清纯半导体已正式量产首款国产15V驱动SiC MOSFET，推出国内最低导通电阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，同时获得AEC-Q101车规认证并通过HV-H3TRB加严可靠性考核。