制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 36.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: U-MOSVIII-H
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
系列: U-MOSVIII-H
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 23 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: TK25S06N1L,LXHQ(O
单位重量: 360 mg
