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DDR5加速渗透,封测龙头带来新消息

更新时间:2022-11-24 15:57:00
摘要: 半导体封测 长电科技 DDR
DDR5加速渗透,封测龙头带来新消息

近日,封测龙头长电科技宣布,高性能动态随机存储DDR5芯片成品实现稳定量产。

随着5G高速网络、云端服务器、智能汽车等领域对存储系统性能的要求不断提升,DDR5芯片在服务器、数据中心等领域加速渗透。相比前代产品,DDR5因其速度更快、能耗更低、带宽更高、容量更大等优势,给用户带来更佳的可靠性和扩展性,市场前景广阔。

反映到芯片成品制造环节,包括DDR5在内的存储芯片效能不断提升,对芯片封装提出更高集成度、更好电气性能、更低时延,以及更短互连等要求。为此,长电科技通过各种先进的2.5D/3D封装技术,实现同尺寸器件中的高存储密度性能,满足市场的需求。

目前,长电科技的工艺能力可以实现16层芯片的堆叠,单层芯片厚度为35um,封装厚度为1mm左右。长电科技包括DDR在内各类存储产品已实现量产。长电科技表示,随着PC端、服务器端、以及消费端等领域对存储系统性能的要求不断提升,市场对DDR5的需求有望加速释放,为集成电路封测带来新机遇。