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SQJ464EP-T1_GE3

2023-2-23 15:00:00
  • 表面贴装型 N 通道 60 V 32A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8

SQJ464EP-T1_GE3

类型

描述

选择

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel? 得捷定制卷带

Product Status

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

32A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

17 毫欧 @ 7.1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

44 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2086 pF @ 30 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

45W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK? SO-8

封装/外壳

PowerPAK? SO-8

基本产品编号

SQJ464