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SISS588DN-T1-GE3

2025-8-14 15:08:00
  • 进口代理

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 58.1 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 18.7 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 56.8 W

通道模式: Enhancement

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 6 ns

正向跨导 - 最小值: 32 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 5 ns

3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 18 ns

典型接通延迟时间: 13 ns