制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPak-1212-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 63 A
Rds On-漏源导通电阻: 7.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 24 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 65.7 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 14 ns
零件号别名: SISS32ADN
单位重量: 1 g
