TLJN476M004R4000_TLJN476M004R4000导读
。Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
TLJN476M004R4000_TLJN476M004R4000
TLJA107M006R0800
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
TLJN476M004R4000_TLJN476M004R4000
TAJC476M020RNJ
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
TLJN476M004R4000_TLJN476M004R4000
NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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